[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710538230.7 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107482054B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 凯勒·特里尔;差诺·帕克 | 申请（专利权）人： | 威世硅尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一多个沟槽状结构和第二多个禁用沟槽状结构。所述第一多个沟槽状结构中的每一个包括与栅极金属相接触的栅电极和与源极金属相接触的源电极。所述第二多个禁用沟槽状结构与所述第一多个沟槽状结构交错设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个沟槽状结构，包括：所述多个沟槽状结构中第一多个沟槽状结构，所述第一多个沟槽状结构中的每一个包括与栅极金属相接触并且通过中间氧化物层与源极金属相绝缘的栅电极，所述第一多个沟槽状结构中的每一个还包括与所述源极金属相接触的源电极；以及所述多个沟槽状结构中第二多个沟槽状结构包括禁用沟槽状结构，所述禁用沟槽状结构与所述第一多个沟槽状结构以交替方式交错设置，以使得所述沟槽状结构中每隔一个都是禁用的，其中所述禁用沟槽状结构中的每一个与第一源区和第二源区相邻，其中所述禁用沟槽状结构中的每一个仅包括一个多晶硅区，其中所述仅一个多晶硅区中的每一个与所述源极金属相接触。
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