[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710533460.4 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216470B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L27/06;H01L21/8249;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括二极管区，所述二极管区衬底上具有第一鳍部；在所述第一鳍部中形成第一掺杂层，所述第一掺杂层中具有第一离子；在所述第一掺杂层表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层中具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的导电类型相反，所述第二掺杂层与所述第一鳍部宽度方向上的尺寸大于所述鳍部的宽度。所述第一掺杂层与第二掺杂层的接触面积较大，则所述二极管的p‑n结界面面积较大，从而能够降低所述第二掺杂层与所述第一掺杂层之间的接触电阻，改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括二极管区，所述二极管区衬底上具有第一鳍部；在所述第一鳍部中形成第一掺杂层，所述第一掺杂层中具有第一离子；在所述第一掺杂层表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层中具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的导电类型相反，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层的接触面在沿第一鳍部宽度方向上的尺寸大于所述第一鳍部的宽度。
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