[发明专利]半导体器件芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201710520110.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107591361B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 立石俊幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体器件芯片的制造方法，具有：器件形成步骤，在由硅构成的晶片的正面上，在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件；缺陷防止层形成步骤，在晶片的正面的分割预定线的各交叉点形成缺陷防止层；保护带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴保护带；改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着分割预定线照射激光束，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，一边以改质层为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片，通过缺陷防止层来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件芯片的制造方法，其特征在于，该半导体器件芯片的制造方法具有如下的步骤：器件形成步骤，在由硅构成的晶片的正面上，在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件；缺陷防止层形成步骤，在晶片的正面的该分割预定线的各交叉点形成缺陷防止层；保护带粘贴步骤，在实施了该器件形成步骤和该缺陷防止层形成步骤之后，在晶片的正面上粘贴保护带；改质层形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着该分割预定线照射激光束，沿着该分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，一边以该改质层为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片，通过该缺陷防止层来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
