[发明专利]一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件击穿电压的方法在审
| 申请号： | 201710297916.1 | 申请日： | 2017-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106960874A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡光喜;钱海生;田朋飞;刘冉;郑立荣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件（HEMT）击穿电压的方法。本发明方法，是利用在HEMT器件的GaN缓冲层中进行p型掺杂，以及在漏端欧姆接触区域中使用双掺杂漏（DDD）掺杂技术，调制器件沟道电场的分布，减小器件流过GaN缓冲层的电流，降低器件漏端发生击穿的概率，以尽量利用器件的耗尽区承担漏极所加的高电压，从而提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 algan gan 电子 迁移率 场效应 器件 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件击穿电压的方法，其特征在于，在HEMT器件的GaN缓冲层中进行p型掺杂，并在漏极欧姆接触区域进行DDD掺杂，GaN缓冲层内的p型埋层用于调制沟道电场分布，DDD掺杂用于降低器件漏端发生雪崩击穿的概率。
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