[发明专利]具有增强型电阻率区的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710171846.5 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107240609B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 达雷尔·格伦·希尔;布鲁斯·麦克雷·格林 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的实施例包括：包括上表面的基底衬底；安置在所述基底衬底的所述上表面上方的成核层；安置在所述成核层上方的第一半导体层；安置在所述第一半导体层上方的第二半导体层；在所述第二半导体层内并且接近于所述第二半导体层的上表面的通道；以及具有接近于所述第一半导体层的上表面的上边界的增强型电阻率区。所述增强型电阻率区具有上边界，所述上边界位于所述通道下方一段距离处。制造所述半导体装置的方法的实施例包括：穿过所述第一半导体层植入一种或多种离子物质以形成所述增强型电阻率区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 电阻率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：包括上表面的基底衬底；安置在所述基底衬底的所述上表面上方的成核层；安置在所述成核层上方的第一半导体层；安置在所述第一半导体层上方的第二半导体层；在所述第二半导体层内并且接近于所述第二半导体层的上表面的通道；以及植入一种或多种离子物质的植入区，其中所述植入区包括增强型电阻率区，并且所述植入区具有上边界，所述上边界位于所述通道和所述第二半导体层的所述上表面下方一段距离处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710171846.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件、显示装置和它们的制作方法
- 下一篇：太阳能电池单元
- 同类专利
- 专利分类
