[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710146586.6 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108574014B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 方磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法，能与CMOS工艺兼容，将现有的深阱和体区合二为一，由此避免借助额外的掩膜版来形成体区，有效提高集成度，降低生产成本和工艺难度，最终获得了具有低导通电阻、高击穿电压的LDMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底为第一导电类型；体区和漂移区，均位于所述半导体衬底中，且所述体区为所述第一导电类型，所述漂移区为第二导电类型，所述体区包括离子注入能量依次降低且在所述半导体衬底中向下延伸的深度依次变浅的第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层，且所述漂移区至少与所述体区间隔开或邻接；栅极结构，位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且至少覆盖所述体区的第二能量离子注入层的一部分以及覆盖所述漂移区的一部分；源区和漏区，为所述第二导电类型，位于所述栅极结构的两侧并分别形成于所述体区的第三能量离子注入层内和所述漂移区内，所述漏区与所述第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层均间隔开；体接触区，为所述第一导电类型，位于所述体区的第三能量离子注入层内且位于所述源区远离所述栅极结构的一侧。
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