[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底为第一导电类型；

体区和漂移区，均位于所述半导体衬底中，且所述体区为所述第一导电类型，所述漂移区为第二导电类型，所述体区包括离子注入能量依次降低且在所述半导体衬底中向下延伸的深度依次变浅的第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层，且所述漂移区至少与所述体区间隔开或邻接，所述第三能量离子注入层的离子注入剂量分别高于所述第一能量离子注入层和所述第二能量离子注入层的离子注入剂量，且所述体区中至少所述第一能量离子注入层在所述半导体衬底中向下延伸的深度比所述漂移区在所述半导体衬底中向下延伸的深度深，所述第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层的掺杂浓度均大于所述漂移区的掺杂浓度，以满足降低所述LDMOS器件的导通电阻并提高所述LDMOS器件的击穿电压的要求；

栅极结构，位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且至少覆盖所述体区的第二能量离子注入层的一部分以及覆盖所述漂移区的一部分；

源区和漏区，为所述第二导电类型，位于所述栅极结构的两侧并分别形成于所述体区的第三能量离子注入层内和所述漂移区内，所述漏区与所述第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层均间隔开；

体接触区，为所述第一导电类型，位于所述体区的第三能量离子注入层内且位于所述源区远离所述栅极结构的一侧。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层均横向地向所述漂移区延伸，且均与所述漂移区间隔开，以实现所述体区与所述漂移区间隔开，或者所述第一能量离子注入层、第二能量离子注入层、第三能量离子注入层均横向地向所述漂移区延伸，且至少其中的一层和所述漂移区邻接，以实现所述体区与所述漂移区邻接。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一能量离子注入层的离子注入能量为200KeV～450KeV，所述第二能量离子注入层的离子注入能量为80KeV～150KeV，所述第三能量离子注入层的离子注入能量为5KeV～50KeV。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一能量离子注入层的离子注入剂量为1e¹³/cm²～5e¹³/cm²，所述第二能量离子注入层的离子注入剂量为1e¹³/cm²～5e¹³/cm²，所述第三能量离子注入层的离子注入剂量为2e¹³/cm²～5e¹⁴/cm²。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体接触区与所述源区通过浅沟槽隔离结构间隔开。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

7.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述半导体衬底包括基底以及位于基底表面的半导体外延层，所述体区、漂移区、源区、漏区以及体接触区均形成在所述半导体外延层中。