[发明专利]具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法

摘要

本发明描述了具有颈状半导体主体的半导体器件以及形成不同宽度的半导体主体的方法。例如，半导体器件包括设置于衬底之上的半导体主体。栅极电极堆叠体设置于半导体主体的一部分之上，以限定半导体主体中的位于栅极电极堆叠体下方的沟道区。在栅极电极堆叠体的两侧上的半导体主体中限定了源极区和漏极区。侧壁间隔体设置于邻近栅极电极堆叠体处，并且设置于源极区和漏极区的仅一部分上。相较于半导体主体的沟道区的高度和宽度，源极区和漏极区的位于侧壁间隔体下方的部分具有更大的高度和宽度。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成硬掩模图案，所述硬掩模图案包括具有鳍状物形成特征的第一区，其中所述第一区的每个所述鳍状物形成特征具有第一宽度，并且所述硬掩模图案还包括具有鳍状物形成特征的第二区，其中所述第二区的每个所述鳍状物形成特征具有近似等于所述第一宽度的第二宽度；以及随后，形成抗蚀剂层并对所述抗蚀剂层进行构图，以覆盖所述第二区并暴露所述第一区；以及随后，对所述第一区的所述鳍状物形成特征进行蚀刻，以形成减薄的鳍状物形成特征，其中每个所述减薄的鳍状物形成特征具有小于所述第二宽度的第三宽度；以及随后，去除所述抗蚀剂层；以及随后，将所述硬掩模图案转移到所述衬底，以形成具有鳍状物的第一区并且形成具有鳍状物的第二区，其中所述第一区的每个所述鳍状物具有所述第三宽度，并且所述第二区的每个所述鳍状物具有所述第二宽度；以及随后，利用所述第一区的所述鳍状物和所述第二区的所述鳍状物形成半导体器件。