[发明专利]半导体封装件及形成其的方法在审

专利信息
申请号: 201710092932.7 申请日: 2017-02-21
公开(公告)号: CN107134437A 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 谢正贤;许立翰;吴伟诚;陈宪伟;叶德强;吴集锡;余振华;林宗澍 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例涉及一种半导体封装件及形成其的方法。其中,一实施例是一种结构,其包含第一裸片,所述第一裸片具有有源表面,所述有源表面具有第一中心点;模塑料,其至少横向囊封所述第一裸片;及第一重布层RDL,其包含在所述第一裸片及所述模塑料上方延伸的金属化图案。所述第一RDL的所述金属化图案的第一部分在所述第一裸片的边界的第一部分上方延伸到所述模塑料,所述金属化图案的所述第一部分不平行于第一线延伸,所述第一线从所述第一裸片的所述第一中心点延伸到所述第一裸片的所述边界的所述第一部分。
搜索关键词: 半导体 封装 形成 方法
【主权项】:
一种结构,其包括:第一裸片,其具有有源表面,所述有源表面具有第一中心点;模塑料,其至少横向囊封所述第一裸片;及第一重布层(redistribution layer)RDL,其包括在所述第一裸片及所述模塑料上方延伸的金属化图案,所述第一RDL的所述金属化图案的第一部分在所述第一裸片的边界的第一部分上方延伸到所述模塑料,所述金属化图案的所述第一部分不平行于第一线延伸,所述第一线从所述第一裸片的所述第一中心点延伸到所述第一裸片的所述边界的所述第一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710092932.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top