[发明专利]一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710091485.3 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106898640A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 马平;姬小利;李喜林;刘波亭;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法，该方法在衬底上依次生长成核层、铟镓氮高阻缓冲层、铝铟镓氮势垒层；在铝铟镓氮势垒层上制备源极和漏极；源漏之间刻蚀有单条或多条沟槽，沟槽的深度大于铝铟镓氮势垒层的厚度，沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电解质材料，在沟槽上方制备栅极；源极、漏极和栅极之间为钝化层，完成晶体管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化物 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；依次形成于衬底之上的成核层、高阻缓冲层及势垒层；形成于势垒层一端之上的源极；形成于势垒层另一端之上的漏极；形成于源极、漏极之间的单条沟槽或多条沟槽，且沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电介质材料；形成于沟槽上方的栅极；以及形成于源极、漏极和栅极之间的钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710091485.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
