[发明专利]用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201680053386.X | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN108028270B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 肖靖泉;宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 氧化物 半导体 涂布液 制造 方法 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光，未经株式会社理光许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680053386.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
