[发明专利]碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201680051471.2 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108292686B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 中村勇;小西和也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。碳化硅外延基板(51)具备：一导电型的碳化硅单晶基板(10)、上述一导电型的第1碳化硅层(21)、上述一导电型的第2碳化硅层(22)、和上述一导电型的第3碳化硅层(23)。碳化硅单晶基板(10)具备第1杂质浓度。第1碳化硅层(21)在碳化硅单晶基板(10)上方设置，具有比第1杂质浓度低的第2杂质浓度。第2碳化硅层(22)在第1碳化硅层(21)上方设置，具有比第1杂质浓度高的第3杂质浓度。第3碳化硅层(23)在第2碳化硅层(22)上方设置，具有比第2杂质浓度低的第4杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅外延基板(51～53)，其具备：一导电型的碳化硅单晶基板(10)，其具有第1杂质浓度；所述一导电型的第1碳化硅层(21)，其被设置在所述碳化硅单晶基板(10)上方、具有比所述第1杂质浓度低的第2杂质浓度；所述一导电型的第2碳化硅层(22)，其被设置在所述第1碳化硅层(21)上方、具有比所述第1杂质浓度高的第3杂质浓度；和所述一导电型的第3碳化硅层(23)，其被设置在所述第2碳化硅层(22)上方、具有比所述第2杂质浓度低的第4杂质浓度。
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