[实用新型]用于金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片有效
| 申请号： | 201620672795.5 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205692836U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈小铎;王作义;崔永明;马洪文;白磊 | 申请（专利权）人： | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市国开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了用于金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片，包括衬底、外延层及绝缘介质层，其中，外延层构成有第一环状隔离沟槽和第二环状隔离沟槽，第一环状隔离沟槽和第二环状隔离沟槽两者内部均填充有栅氧化层及位于栅氧化层中央的栅极导电多晶硅。第一环状隔离沟槽与第二环状隔离沟槽之间、第二环状隔离沟槽与外延层的侧壁之间均设置有P型阱区，P型阱区上方设置有N型源极区，绝缘介质层上设有与N型源极区形成欧姆接触的源极接触结构，外延层内设有位于P型阱区下方的离子注入调节层。本实用新型应用时，便于通过离子注入的方式来改变本实用新型的耐压值，使得本实用新型可适应不同耐压需求的产品，节省资源，便于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 外延 | ||
【主权项】：
用于金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片，其特征在于，包括衬底（1）、沉积于衬底（1）上端面的外延层（2）、以及覆盖于外延层（2）上端面的绝缘介质层（11），所述外延层（2）上端面内凹构成有第一环状隔离沟槽（3）及环绕第一环状隔离沟槽（3）设置且与第一环状隔离沟槽（3）接通的第二环状隔离沟槽（4），所述第一环状隔离沟槽（3）和第二环状隔离沟槽（4）两者内部均填充有栅氧化层（5）及位于栅氧化层（5）中央的栅极导电多晶硅；所述第一环状隔离沟槽（3）与第二环状隔离沟槽（4）之间、第二环状隔离沟槽（4）与外延层（2）的侧壁之间均设置有P型阱区（9），所述P型阱区（9）上方设置有N型源极区（10），所述绝缘介质层（11）上设有与N型源极区（10）形成欧姆接触的源极接触结构，所述外延层（2）内设有位于P型阱区（9）下方的离子注入调节层（6）。
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