[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201611225939.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107026206A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 纪良臻;王锦焜;蔡家铭;陈敏璋;王唯诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、在衬底上方的栅极以及在栅极与衬底之间的栅介电层。栅介电层包括具有大于约8的介电常数且处于非晶态的氧化物抑制层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：衬底；栅极，在所述衬底上方；以及栅介电层，在所述栅极与所述衬底之间并包括具有大于约8的介电常数且处于非晶态的氧化物抑制层。
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