[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201611156536.8 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106887456A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 叶启瑞;詹文炘;郭康民 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件,该半导体器件包括衬底、栅极结构、介电层、蚀刻停止层和粘合层。栅极结构形成在衬底上方。介电层形成在栅极结构旁边。粘合层覆盖栅极结构的顶面且延伸至介电层的第一顶面。蚀刻停止层在粘合层上方且与介电层的第二顶面接触。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:栅极结构,位于衬底上方;介电层,位于所述栅极结构旁边;粘合层,位于所述栅极结构的顶面上方并且延伸至所述介电层的第一顶面;以及蚀刻停止层,位于所述粘合层上方并且与所述介电层的第二顶面接触。
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