[发明专利]半导体装置中的局部自偏压隔离有效
| 申请号： | 201611100505.0 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106972050B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林欣;左江凯;杨红凝;程序;张志宏 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，其被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，其被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，其被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导电类型。所述耗尽区在所述半导体衬底中达到一深度以与所述掩埋掺杂隔离层接触。所述耗尽区在所述掩埋掺杂隔离层与所述漏极区之间建立电链路，使得所述掩埋掺杂隔离层在低于施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 中的 局部 偏压 隔离 | ||
【主权项】：
一种装置，其特征在于，包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，所述掩埋掺杂隔离层被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，所述漏极区被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，所述耗尽区被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导电类型，所述耗尽区在所述半导体衬底中达到一深度以与所述掩埋掺杂隔离层接触；其中所述耗尽区在所述掩埋掺杂隔离层与所述漏极区之间建立电链路，使得所述掩埋掺杂隔离层在低于施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏压。
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