[发明专利]一种制造N沟道增强型MOS晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 201611038091.3 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784002A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 南通沃特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造N沟道增强型MOS晶体管器件的方法，包括（1）提供绝缘体上硅（SOI），所述绝缘体上硅为P型硅且具有背离掩埋氧化层的表面；（2）在所述表面刻蚀出剖面为直角三角形或楔形的凹入部分；（3）沉积栅极氧化物材料填充所述凹入部分并从所述表面突出一定的距离形成具有嵌入部分的栅极氧化物层，在栅极氧化物层上镀上铝栅极，栅极氧化物层和铝栅极构成栅极结构；（4）在栅极结构两侧分别形成漏区和源区，所述漏区与栅极结构的距离较所述源区与栅极结构的距离大，并且所述嵌入部分的嵌入深度由漏区向源区依次递减。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 沟道 增强 mos 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造N沟道增强型MOS晶体管器件的方法，包括：（1）提供绝缘体上硅（SOI），所述绝缘体上硅为P型硅且具有背离掩埋氧化层的表面；（2）在所述表面刻蚀出剖面为直角三角形或楔形的凹入部分；（3）沉积栅极氧化物材料填充所述凹入部分并从所述表面突出一定的距离形成具有嵌入部分的栅极氧化物层，在栅极氧化物层上镀上铝栅极，栅极氧化物层和铝栅极构成栅极结构；（4）在栅极结构两侧分别形成漏区和源区，所述漏区与栅极结构的距离较所述源区与栅极结构的距离大，并且所述嵌入部分的嵌入深度由漏区向源区依次递减。
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