[发明专利]一种控制自旋波传输的方法有效
申请号: | 201610553896.5 | 申请日: | 2016-07-14 |
公开(公告)号: | CN106206935B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 程晓敏;王升;关夏威;连晨;黄婷;缪向水 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法,该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场,可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小,可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用,可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制,为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 自旋 传输 方法 | ||
【主权项】:
1.一种控制自旋波传输的方法,其特征在于,通过在自旋波波导结构上施加电场来调控自旋波色散关系,实现对自旋波传输的控制;所述自旋波波导结构包括:依次设置的第一电极层、自旋波波导材料层和第二电极层;3层bcc Fe(001)原子层作为波导材料。
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- 2017-06-30 - 2019-01-15 - H01L43/12
- 本申请提供了一种MTJ器件与其制作方法。该制作方法包括:步骤S1,提供基底,基底包括底电极以及位于其两侧的介质层,底电极以及介质层的裸露表面在第一平面上;步骤S2,在第一平面上设置光刻胶膜,经过曝光与显影得到光刻胶图形膜,光刻胶图形膜包括多个光刻胶单元,光刻胶单元位于各底电极两侧的第一平面上;步骤S3,在部分第一平面上以及光刻胶图形膜的裸露表面上设置结构层;步骤S4,采用金属剥离工艺剥离去除光刻胶图形膜以及设置在光刻胶图形膜的表面上的部分结构层,底电极表面上的结构层被保留。该方法无需采用干法刻蚀即可形成MTJ位元,简化了MTJ位元的工艺制程,使得其具有更好的性能。
- 一种控制自旋波传输的方法-201610553896.5
- 程晓敏;王升;关夏威;连晨;黄婷;缪向水 - 华中科技大学
- 2016-07-14 - 2019-01-04 - H01L43/12
- 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法,该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场,可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小,可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用,可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制,为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
- 专利分类