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[发明专利]传感器模块及制造方法-CN201710304211.8有效
发明人： 马克·艾斯勒 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N59/00 文献下载
摘要：根据实施例提供一种磁阻性传感器模块。所述传感器模块可包括：集成电路；磁阻性传感器元件，其布置成单片集成在所述集成电路上的桥电路；以及应力缓冲层，其布置在所述集成电路与所述磁阻性传感器元件之间。还提供一种制造所述磁阻性传感器模块的方法。
传感器模块制造方法

[发明专利]杂散磁场鲁棒的磁场传感器和系统-CN201811018563.8有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克;哈特穆特·马茨;马克·艾斯勒;丹尼斯·赫尔姆博尔特 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种磁场传感器包括形成在基板上的磁感元件和屏蔽结构。所述屏蔽结构完全环绕所述磁感元件以用于抑制沿着第一轴线和第二轴线的杂散磁场，所述第一轴线和所述第二轴线均与所述基板的表面平行并且彼此垂直。磁场沿着与所述基板的所述表面垂直的第三轴线朝向，并且所述磁感元件被配置成感测沿着所述第一轴线的磁场。在所述基板上靠近所述磁感元件形成的磁场偏转元件将所述磁场从所述第三轴线重定向到所述第一轴线中，以被所述磁感元件感测为测量磁场。各自被屏蔽结构完全环绕的至少两个磁场传感器形成用于确定磁场梯度的梯度单元。
磁场传感器系统

[发明专利]具有磁场屏蔽结构的磁场传感器及结合磁场传感器的系统-CN201810760725.9有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克;马克·艾斯勒;哈特穆特·马茨;丹尼斯·赫尔姆博尔特 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种系统包括至少一个磁场传感器，所述至少一个磁场传感器具有在基板上形成的磁感测元件。所述感测元件感测沿着朝向平行于所述基板的表面的第一方向的感测轴的磁场。屏蔽结构在所述基板上形成。所述屏蔽结构具有第一和第二屏蔽部分，并且所述磁感测元件被安置在所述屏蔽部分之间。所述屏蔽部分中的每一个屏蔽部分包括主体以及从所述主体的相对端延伸的第一和第二边沿段。所述主体平行于第二方向对准，所述第二方向垂直于所述第一方向并且平行于所述基板的所述表面。所述边沿段基本上平行于所述第一方向对准。所述屏蔽部分被布置成镜像对称，其中，所述屏蔽部分中的每一个屏蔽部分的所述边沿段朝彼此延伸。
具有磁场屏蔽结构传感器结合系统

[发明专利]用于速度测量的磁场传感器、系统和方法-CN202010293008.7在审
发明人：克劳斯·莱曼;哈特穆特·马茨;马克·艾斯勒;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01P3/49 文献下载
摘要：一种传感器包括第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件，所述第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件被配置成响应于外部磁场而产生对应的第一输出信号和第二输出信号。所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件形成梯度单元，所述磁阻传感器元件中的每个磁阻传感器元件包括具有涡旋磁化图案的感测层。处理电路耦接到所述传感器元件并且被配置成产生作为所述梯度单元的所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件的所述第一输出信号与所述第二输出信号之间的差的差分输出信号。系统包括产生外部磁场的编码器和具有一个或多个梯度单元的传感器，其中所述梯度单元可以以二阶梯度感测配置布置。
用于速度测量磁场传感器系统方法

[发明专利]高性能磁阻传感器的制造-CN202010149203.2在审
发明人： 马克·艾斯勒 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种方法包括在形成于衬底上的磁阻(MR)结构层上方沉积硬掩模层，所述硬掩模层由钨或基于钨的组合物形成。在所述硬掩模层上方沉积光刻胶层并且图案化所述光刻胶层以暴露所述硬掩模层的第一部分。执行第一蚀刻过程以去除所述硬掩模层的所述第一部分并暴露所述MR结构层的第二部分，并且执行干法蚀刻过程以去除所述MR结构层的所述第二部分并产生MR传感器结构。在所述干法蚀刻过程之后，剩下包括所述MR传感器结构和所述硬掩模层的硬掩模区段的复合结构，所述硬掩模区段覆盖所述MR传感器结构。另外可以形成围绕所述复合结构的由保护性介电材料层形成的间隔物。
性能磁阻传感器制造

[发明专利]具有线圈结构的磁场传感器和制造方法-CN201811144679.6在审
发明人： 马克·艾斯勒 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种方法包括：在有源硅衬底的导电层中形成第一线圈段；在所述有源硅衬底的电绝缘层上方形成磁感元件，所述磁感元件通过所述电绝缘层与所述导电层中的所述第一线圈段分离。保护层形成于所述磁感元件上方。形成延伸穿过所述保护层和所述电绝缘层以与所述第一线圈段电耦合的导电通孔，且在所述保护层上方形成第二线圈段，所述第二线圈段与所述导电通孔电耦合以产生所述第一线圈段、所述导电通孔和所述第二线圈段的线圈结构，且所述线圈结构围绕所述磁感元件。
线圈段磁感元件导电通孔电绝缘层线圈结构保护层导电层中电耦合硅衬底磁场传感器延伸穿过制造

[发明专利]形成隧道磁阻（TMR）元件和TMR传感器元件的方法-CN201810799867.6在审
发明人： 马克·艾斯勒;克劳斯·莱曼;哈穆特·马茨;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种方法包括对隧道磁阻(TMR)堆叠执行离子束蚀刻过程以移除所述TMR堆叠的第一磁层和隧道势垒层的材料部分。所述离子束蚀刻过程在所述TMR堆叠的第二磁层的顶表面处停止。保护层沉积在所述TMR堆叠上方。另一个蚀刻过程被执行以移除所述保护层，使得所述第二磁层的一部分从所述保护层暴露并且由所述保护层的剩余部分形成间隔物。所述间隔物围绕所述第一磁层和所述隧道势垒层的侧壁。所述第二磁层的从所述保护层暴露的所述部分被移除，从而使得TMR传感器元件仍然存在，其中，所述TMR传感器元件包括底部磁体、顶部磁体以及隧道结。
磁层保护层堆叠蚀刻移除隧道势垒层隧道磁阻间隔物离子束保护层沉积顶表面隧道结暴露侧壁

[发明专利]制造单片集成在半导体芯片处的磁传感器元件-CN201410257970.X有效
发明人： 马克·艾斯勒;弗雷德里克·威廉·莫瑞蒂斯·万赫尔蒙特 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：描述了一种制造磁传感器模块的方法，所述磁传感器模块具有在半导体芯片(110)处单片集成的磁传感器元件。所述方法包括设置复合半导体结构(105)，所述复合半导体结构包括(i)半导体芯片(110)，(ii)针对集成电路的接触元件(112)，所述接触元件形成于半导体芯片上，以及(iii)在半导体芯片(110)上和接触元件(112)上形成的介电层(120)；形成磁传感器层，所述磁传感器层在介电层(120)上单片地设置用于磁传感器元件的材料；通过去除位于接触元件(112)上方的那部分介电层(120)来暴露接触元件(112)；以及在所形成的磁传感器层或者暴露出的接触元件(112)上形成导电保护层。还描述了一种通过上述方法制造的磁传感器模块。
制造单片集成半导体芯片传感器元件

[发明专利]磁场传感器-CN201110035085.3有效
发明人：弗德里克·威廉·毛里提斯·范赫蒙特;马克·艾斯勒;安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼;罗伯特斯·亚德里恩斯·玛丽亚·沃特斯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：MR传感器装置与IC集成。对IC装置(例如CMOS)的金属层进行图案化以限定至少第一和第二接触区。将金属连接插头设置在第一和第二接触区域下面，用于实现与集成电路端子的接触。磁阻材料层位于所述金属层上面并且通过电介质层而分离。第二金属连接插头从金属层向上延伸至MR传感器层。因此，传感器层形成于IC结构层的顶部上。
磁场传感器

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