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- [发明专利]磁性穿隧接面结构与其制造方法-CN201910880175.9有效
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杨毅;沈冬娜;王郁仁
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2019-09-18
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2023-09-29
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H10N50/01
- 一导电通路层沉积于一底电极上，接着导电通路层被图案化并修整以在底电极上形成次20nm的一导电通路。导电通路以一第一介电层封装，第一介电层被平坦化以暴露导电通路的一顶表面。一磁性穿隧接面堆叠沉积于封装的导电通路上，其中磁性穿隧接面堆叠包括至少一固定层(pinned layer)、一阻挡层及一自由层。一顶电极层沉积于磁性穿隧接面堆叠上，且被图案化并修整以形成一次30nm的硬掩模。将磁性穿隧接面堆叠使用硬掩模蚀刻以形成一磁性穿隧接面装置并将磁性穿隧接面堆叠过蚀刻至第一介电层中，但不蚀刻至底电极中，其中金属再沉积材料形成在磁性穿隧接面装置下的第一介电层的侧壁上，而不形成在磁性穿隧接面装置的阻挡层的侧壁上。
- 磁性穿隧接面结构与其制造方法
- [发明专利]磁通道接面结构与其制造方法-CN201910983590.7有效
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杨毅;沈冬娜;王郁仁
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2019-10-16
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2023-04-28
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H10N50/01
- 本公开涉及磁通道接面结构与其制造方法。将磁通道接面(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠沉积在底电极上。将顶电极层和硬遮罩沉积在MTJ堆叠上。蚀刻未被硬遮罩覆盖的顶电极层。之后，将第一间隔物层沉积在图案化的顶电极层和硬遮罩上。第一间隔物层在水平表面上被蚀去，留下在图案化的顶电极层的侧壁上的第一间隔物。蚀刻未被硬遮罩及第一间隔物覆盖的自由层。之后，在图案化的先前层上沉积后续间隔物层的步骤，在水平表面上蚀去后续间隔物层，在图案化的先前层的侧壁上留下后续间隔物层，之后重复蚀刻未被硬遮罩及后续间隔物覆盖的继续层(next layer)，直到已经蚀刻完MTJ堆叠的所有层以完成MTJ结构。
- 通道结构与其制造方法
- [发明专利]集成电路-CN201911376500.4在审
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陈其懋;王郁仁;陈传鑫;林仁兴;陈望矜
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智原科技股份有限公司
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2019-12-27
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2021-02-26
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H01L27/02
- 本发明公开一种集成电路，包含平行第一轴向的第一电力轨线与第二电力轨线；第一电连接元件，具有第一连接部与第二连接部，第二连接部耦接第一电力轨线；第二电连接元件，具有第三连接部与第四连接部，其中第四连接部耦接第二电力轨线，第二连接部与第四连接部在第二轴向上重叠；第一电力导线与第二电力导线，其中第二连接部与第四连接部位于第一电力导线与第二电力导线之间，第一电力导线及第二电力导线分别耦接第一连接部及第三连接部，第一电力导线与第二电力导线分别经由第一电连接元件与第二电连接元件供电至第一电力轨线与第二电力轨线。
- 集成电路
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