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[发明专利]斯格明子的驱动方法-CN202110641733.3在审
发明人：袁怀洋;王宪思;翁文康;王向荣 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种斯格明子的驱动方法，该方法包括：在与预设的磁性薄膜所在平面垂直的方向上施加交变电场，所述磁性薄膜生成有斯格明子，以驱动所述斯格明子做呼吸运动。本申请通过对磁性薄膜施加交变电场，持续性的向磁性薄膜中的斯格明子提供能量，以驱动斯格明子进行呼吸运动，能够减少驱动斯格明子产生的热效应和霍尔效应所带来的不良影响。
明子驱动方法

[发明专利]斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备-CN202111091288.4在审
发明人：金相国;梁在鹤;宋胤宗;李吉镐;金俊会 -专利权人：首尔大学校产学协力团;三星电子株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种核磁化翻转方法包括通过向第一磁性斯格明子施加第一交流(AC)磁场将所述第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理，并且然后通过向斯格明子纹理施加第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子。第一磁性斯格明子可以在半球形壳体上形成，该半球形壳体可以通过以下方式形成：(i)制备具有多个突起的膜，以及(ii)在所述膜上堆叠包括铂(Pt)、镍(Ni)、或钯(Pd)中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。第一AC磁场和第二AC磁场可以具有不同频率。
明子磁化翻转方法使用数据存储设备

[发明专利]真随机数发生器及产生真随机数的方法-CN202211011819.9在审
发明人：曹易;任睿智;王超 -专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。其中真随机数发生器的随机数发生模块包括：自旋流生成层和并列设置在自旋流生成层上的两个磁隧道结。自旋流生成层两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极。两个磁隧道结均包括依次堆叠的自由层、绝缘层、参考层、钉扎层和盖帽层。两个磁隧道结的自由层被配置为磁场初始化后能够具有相反的磁化方向。两个磁隧道结之间的间距被配置为能够使得其自由层产生反铁磁耦合。两个磁隧道结中的一个的盖帽层和第一电极用于通入第二电流。本发明通过设计自由层的反铁磁耦合来降低杂散磁场对随机性的影响，可有效提高基于自旋轨道矩效应的真随机数发生器的随机性。
随机数发生器产生方法

[实用新型]基于BCD工艺集成霍尔器件、驱动芯片及直流无刷电机-CN202222242008.1有效
发明人：杜凯;杨承晋;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳市森国科科技股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于BCD工艺集成霍尔器件、驱动芯片及直流无刷电机，涉及集成霍尔器件技术领域，解决了基于不同BCD工艺生产制造霍尔器件时，无法进行工艺移植，生产制造较为困难，成本较高的技术问题。该集成霍尔器件包括P型衬底层、深N阱层和P阱层；所述P型衬底层、深N阱层和P阱层从下到上顺次排列；所述P阱层完全覆盖所述深N阱层，所述P阱层设有四个连接端口，四个所述连接端口与所述深N阱层连接。本实用新型集成霍尔器件的结构便于在不同BCD工艺上进行通用，降低了生产制造难度，可实现在不同BCD工艺上的移植，生产制造方便，从而降低了成本，便于集成霍尔器件在各种场景下的使用。
基于 bcd 工艺集成霍尔器件驱动芯片直流电机

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件和磁存储器-CN201810035098.2有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供能够减少磁化反转所需要的反转电流密度的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋流磁化反转元件具有：沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线；和在与上述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向层叠的第一铁磁性层，上述第一铁磁性层具有多个铁磁性结构层和夹在相邻的铁磁性结构层间的至少1层插入层，夹着上述多个铁磁性结构层中的至少1个铁磁性结构层的层的自旋霍尔角的极性不同。
自旋磁化反转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]砷化铟薄膜的外延层结构、霍尔器件及制备方法-CN202211220089.3在审
发明人：李鑫;朱忻;何渊;吴铭;余泽辉;蔡兴文;万楚华 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司;深圳市赛迈科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化铟薄膜的外延层结构，涉及化合物半导体的技术领域，包括一砷化镓衬底；一缓冲层，覆盖于所述砷化镓衬底的上表面一砷化铟缓冲结构，覆盖所述缓冲层；一砷化铟功能层，覆盖于所述砷化铟缓冲结构的上表面。解决了现有技术中砷化铟霍尔器件信噪比低的技术问题，达到了在不降低灵敏度的基础上提高信噪比的技术效果。
砷化铟薄膜外延结构霍尔器件制备方法

[发明专利]磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件-CN202110422281.X在审
发明人：韩秀峰;郭晨阳;严政人;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件。根据一实施例，一种基于磁子转移力矩的磁子器件可包括：第一自旋霍尔效应层；形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层；形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层；形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层；以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层。
转移力矩调控晶体管存储器器件

[发明专利]无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法-CN202111428295.9在审
发明人：傅德颐;张波;黄世明;陈家栋;赵永鑫 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。
磁电二维室温自旋场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种霍尔传感器及其制备方法和测试方法-CN202110343111.2在审
发明人：范林杰;毕津顺;习凯;徐彦楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本申请公开一种霍尔传感器及其制备方法和测试方法，霍尔传感器包括：衬底层、底电极、极性转换层、载流子感应层和顶电极；所述底电极、所述极性转换层、所述载流子感应层和所述顶电极依次设置于所述衬底层的一侧；所述极性转换层用于根据所述底电极上被施加的电压进行极性的转换；所述载流子感应层用于感应所述极性转换层的所述极性，以生成对应的载流子；所述顶电极用于根据输入的偏置信号，输出感应信号。能够提高现有霍尔传感器的灵敏度。
一种霍尔传感器及其制备方法测试

[发明专利]MTJ器件-CN201810866682.2有效
发明人：王素梅;罗军;赵超;王文武;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种MTJ器件。该MTJ器件包括：重金属层，形成重金属层的材料具有自旋霍尔效应；第一磁性层，设置于重金属层的一侧表面，且第一磁性层具有垂直于重金属层表面的磁各向异性；交换耦合控制层，设置于第一磁性层远离重金属层的一侧表面，用于使第一磁性层与第二磁性层铁磁耦合；第二磁性层，设置于交换耦合控制层远离第一磁性层的一侧表面，第二磁性层具有垂直于重金属层的磁各向异性，且第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度高于第一磁性层的饱和磁化强度。通过使靠近重金属层的第一磁性层具有低于第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度，从而能够使器件的临界反转电流密度大大降低，并且包括第一磁性层和第二磁性层的复合自由层可增强结构的热稳定性。
mtj 器件

[发明专利]基于斯格明子的人工突触器件-CN202010631131.5有效
发明人：康旺;李赛;潘彪;杜奥;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于斯格明子的人工突触器件，包括：由下至上依次设置的底电极层、重金属层、斯格明子层、隧穿势垒层、参考层以及顶电极层；其中，该底电极层、该重金属层、该斯格明子层的底面均为圆形，直径为第一直径，该隧穿势垒层、该参考层以及该顶电极层的底面均为圆形，直径为第二直径，该第一直径大于该第二直径。由于斯格明子在能量上具有拓扑不连续性，因而具有更高的稳定性、更低的系统功耗及面积，并且斯格明子具有容易移动、不受晶格钉扎影响的特性，使得基于斯格明子的人工突触器件的速度更高、能耗低、密度高。
基于明子人工突触器件

[发明专利]一种自旋波逻辑器件及相关电路-CN202110579887.4在审
发明人：王译;李文波;刘娜;闫鑫;赵俊峰;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;大连理工大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种自旋波逻辑器件及相关电路。该自旋波逻辑器件包括沟道以及位于所述沟道之上的漏极和源极。所述源极用于产生自旋波信号。所述沟道用于将所述自旋波信号传输到所述漏极。所述漏极包括磁性隧道结或自旋阀结构，所述漏极用于根据所述自旋波信号呈现出不同阻态，其中，所述不同阻态用于指示不同的逻辑值。所述自旋波逻辑器件能够通过隧穿磁电阻或者巨磁电阻来探测磁子信号，防止断电后信息丢失，实现磁子信息的有效存储。
一种自旋逻辑器件相关电路

[发明专利]真随机数发生器及产生真随机数的方法-CN202210550931.3在审
发明人：曹易;王超;任睿智;鲁军;谭浩 -专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括多层膜结构的真随机数发生器，所述多层膜结构包括：导电层，配置成通入第一电流；第一磁性层，位于所述导电层之上，易磁化方向垂直于所述导电层与所述第一磁性层的交界面，配置成在所述第一电流的焦耳热作用下，所述第一磁性层的磁矩克服翻转能量势垒向垂直于所述交界面向上或向下的方向随机翻转；自旋流抵消层，位于所述第一磁性层之上，用于抵消所述导电层与所述第一磁性层的交界面上产生的自旋流对所述第一磁性层的磁矩产生的自旋轨道矩。本发明所提供的真随机数发生器，通过增加自旋流抵消层抵消了来自导电层的自旋轨道矩，克服了在自旋轨道耦合效应下的垂直磁化异质结器件的磁矩难以等概率发生向上和向下翻转的问题。
随机数发生器产生方法

[发明专利]自旋轨道转矩磁性器件以及自旋电流磁性层叠体-CN201811012162.1有效
发明人：洪钟一 -专利权人：延世大学校产学协力团
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及自旋轨道转矩磁性器件。本发明一实施例的磁性器件包括：自旋电流图案，配置于基板上，通过面内电流生成垂直于配置平面的自旋电流；以及自由磁性层，以与上述自旋电流图案相接触的方式配置，具有通过上述自旋电流进行磁化反转的垂直磁各向异性。上述自旋电流图案包括：第一非磁性导电层；第二非磁性导电层，以与上述第一非磁性导电层对齐的方式配置；以及磁性层，介于上述第一非磁性导电层与上述第二非磁性导电层之间，与上述第一非磁性导电层对齐，具有垂直磁各向异性。
自旋轨道转矩磁性器件以及电流层叠

[发明专利]自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件-CN202110178201.0在审
发明人：韩秀峰;万蔡华;何文卿 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件。一实施例提供一种自旋霍尔器件，包括自旋霍尔层和形成在所述自旋霍尔层上并且与所述自旋霍尔层接触的第一磁性多层膜结构，包括多个第一磁性层和位于相邻的第一磁性层之间的第一非磁中间层。所述自旋霍尔层可用于接收面内电流，以翻转所述第一磁性多层膜结构的磁矩。另一些实施例还提供自旋轨道力矩磁随机存储器和逻辑器件，其中自旋霍尔层用于翻转包括在自由磁层中的磁性多层膜结构的磁矩。本发明能够在不需要等效磁层的情况下翻转磁性多层膜结构的磁矩，从而提高了磁器件的结构简洁性和性能可靠性。
自旋轨道力矩霍尔器件随机存储器逻辑

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