专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果27个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202210630011.2在审
  • 李将银;金硕壎;金孝燮 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-06 - 2023-02-03 - H10B12/00
  • 提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括:基底,包括由器件分离膜限定的有源区域,有源区域包括第一部分和第二部分,第二部分分别位于第一部分的两个相对侧上;位线,位于基底上并且跨有源区域延伸;以及位线接触件,位于基底与位线之间并且连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括第一钌图案,并且第一钌图案的上表面的宽度小于第一钌图案的底表面的宽度。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202110932691.9在审
  • 李将银;李民妵;金完敦;申铉振;李贤培;林炫锡 - 三星电子株式会社
  • 2021-08-13 - 2022-03-11 - H01L27/108
  • 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:衬底,所述衬底包括元件隔离层,所述元件隔离层限定有源区;多条字线,所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区;和多个位线结构,所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区,所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括:钌线路布线,所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面;下石墨烯层,所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸;以及布线覆盖层,所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202110690120.9在审
  • 李将银;李民主;金完敦;李贤培 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-22 - 2022-01-14 - H01L23/522
  • 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括:第一级布线,设置在第一金属级处,并且包括第一线布线、第一绝缘盖膜和第一侧壁石墨烯膜,第一绝缘盖膜沿着第一线布线的上表面延伸,并且第一侧壁石墨烯膜沿着第一线布线的侧壁延伸;层间绝缘膜,覆盖第一线布线的侧壁和第一绝缘盖膜的侧壁;以及第二级布线,设置在比第一金属级高的第二金属级处,并且包括连接到第一线布线的第二过孔和连接到第二过孔的第二线布线,其中,第二过孔穿透第一绝缘盖膜。
  • 半导体装置
  • [发明专利]包括磁隧道结的磁存储器件-CN202011058111.X在审
  • 李成喆;金洸奭;李将银;皮雄焕 - 三星电子株式会社
  • 2020-09-30 - 2021-04-02 - H01L43/08
  • 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案,并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案,并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
  • 包括隧道磁存储器
  • [发明专利]磁性存储器件-CN202010818608.0在审
  • 皮雄焕;李成喆;李将银 - 三星电子株式会社
  • 2020-08-14 - 2021-02-23 - H01L43/08
  • 一种磁性存储器件包括:第一单元阵列结构,其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案;以及第二单元阵列结构,其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域,其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域,其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。
  • 磁性存储器件
  • [发明专利]可用于磁性器件的磁性结及其形成方法-CN201510119636.2有效
  • D.W.埃里克森;X.唐;李将银 - 三星电子株式会社
  • 2015-03-18 - 2019-03-12 - H01L43/12
  • 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤,提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。
  • 用于磁性器件及其形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top