[发明专利]用于集成封装件的半导体晶圆在审
| 申请号： | 201610525328.4 | 申请日： | 2016-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN106409880A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李正德;喻中一;刘人诚;黄冠杰;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导体层的横向表面是半导体晶圆的外表面，并且底部半导体层、中间半导体层和顶部半导体层的侧壁基本对齐。本发明实施例涉及用于集成封装件的半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 封装 半导体 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆，包括：底部半导体层，具有第一掺杂浓度，其中，所述底部半导体层的第一横向表面是所述半导体晶圆的外表面；中间半导体层，位于所述底部半导体层上方，其中，所述中间半导体层包括大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；以及顶部半导体层，位于所述中间半导体层上方，其中，所述顶部半导体层包括小于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度，并且其中，所述底部半导体层、所述中间半导体层和所述顶部半导体层的侧壁对齐。
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