[发明专利]一种埋入式半导体芯片扇出型封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201610408852.3 申请日: 2016-06-12
公开(公告)号: CN106098664A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 翟玲玲;于大全 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种埋入式半导体芯片扇出型封装结构及其制作方法。该封装结构包括半导体基板、芯片。芯片的正面设置有若干导电垫,半导体基板开设有容纳槽,芯片收容在容纳槽内且正面朝外。每个导电垫上长有金属柱,且金属柱高于半导体基板的上表面。容纳槽与芯片之间的间隙、上表面及金属柱的四周由绝缘层填充或包覆。所有金属柱顶面均连接一条金属重布线,至少有一条金属重布线延伸至芯片的表面之外。本发明通过在芯片上长金属柱,并用聚合物材料覆盖住芯片及金属柱,再使用平坦化工艺,将芯片的金属柱露出,保证封装体表面的平整度;同时凹槽的尺寸范围可扩大。本发明还公开了该埋入式半导体芯片扇出型封装结构的制作方法。
搜索关键词: 一种 埋入 半导体 芯片 扇出型 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种埋入式半导体芯片扇出型封装结构,其包括半导体基板(200)、至少一个芯片(100);芯片(100)的正面设置有若干导电垫,半导体基板(200)开设有至少一个容纳槽(201),至少一个芯片(100)收容在容纳槽(201)内且正面朝外;其特征在于,每个导电垫上连接一金属柱(110),且金属柱(110)高于半导体基板(200)的上表面(202);容纳槽(201)与芯片(100)之间的间隙、上表面(202)及金属柱(110)的四周由绝缘层(301)填充或包覆;所有金属柱(110)顶面均连接一条金属重布线(400),至少有一条金属重布线(400)延伸至芯片(100)的表面之外。
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