[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201610272277.9 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106129020B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;彭逸轩;刘乃玮;萧景文;黄伟哲 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装结构。其包括：半导体封装，该半导体封装包括：重分布层结构，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构的该第一表面上；模塑料，设置在该第一重分布层结构的该第一表面上且围绕该半导体晶粒；以及金属间介电结构，设置在该模塑料和该半导体晶粒上，其中，该金属间介电结构包括：导电层或者金属屏蔽层，其中该导电层具有天线图案并且电性耦接至该重分布层结构，其中，该金属屏蔽层覆盖该第一半体晶粒。本发明，通过将天线或金属屏蔽集成于半导体封装结构中，从而使得半导体封装结构的可靠性、良品率和生产量均可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装，该第一半导体封装包括：第一重分布层结构，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；第一半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构的该第一表面上；第一模塑料，设置在该第一重分布层结构的该第一表面上且围绕该第一半导体晶粒；以及金属间介电结构，设置在该第一模塑料和该第一半导体晶粒上，其中，该金属间介电结构包括：导电层，该导电层具有天线图案并且电性耦接至该第一重分布层结构，或者，该金属间介电结构包括：金属屏蔽层，该金属屏蔽层覆盖该第一半体晶粒；其中，该半导体封装结构进一步包括：第二半导体封装，堆叠在该第一半导体封装下方，并且该第二半导体封装包括：第二重分布层结构，电性耦接至该第一重分布层结构并且具有第三表面和相对于该第三表面的第四表面；第三半导体晶粒，设置在该第二重分布层结构的该第三表面和该第一重分布层结构的该第二表面之间；以及第二模塑料，设置在该第二重分布层结构的该第三表面和该第一重分布层结构的该第二表面之间，并且围绕该第三半导体晶粒；其中，该第二半导体封装进一步包括：电子元件，设置在该第二重分布层结构的该第四表面上，并且电性耦接至该第二重分布层结构。
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