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[发明专利]芯片结构及其形成方法-CN202210943768.7在审
发明人：黄善瑜;郑明达;锺孝文;萧景文;洪丽钧;张元耀;谢孟修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种芯片结构及其形成方法。芯片结构包含基底，芯片结构包含基底上方的第一导线，芯片结构包含基底和第一导线上方的绝缘层。芯片结构包含绝缘层上方的导电柱。导电柱一体成型，导电柱具有下表面及自下表面凸出的底部凸出部，底部凸出部穿过第一导线上方的绝缘层，底部凸出部直接接触第一导线，并且第一导线在导电柱下方的第一部分的第一线宽小于导电柱的宽度。芯片结构包含导电柱上的焊料凸块。焊料凸块直接接触导电柱。
芯片结构及其形成方法

[发明专利]中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法-CN202210919837.0在审
发明人：许鸿生;郑明达;萧景文;庄曜群;苏昱泽;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种有机中介层包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；位于内连线级介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；金属垫结构，包括嵌入在至少一个介电覆盖层中的垫通孔部分以及嵌入在接合级介电层中的垫板部分；以及边缘密封环结构，从包括封装侧凸块结构的接合表面的第一水平面垂直延伸到包括金属垫结构的远侧平面的第二水平面。边缘密封环结构可包括不具有铝的金属环结构的垂直堆叠且横向围绕封装侧凸块结构和重分布内连线结构。本公开还涉及扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法。
中介扇出晶圆级封装半导体制造方法

[发明专利]半导体装置、半导体封装件以及其制造方法-CN202210047964.6在审
发明人：薛长荣;林政男;江琬瑜;林威宏;萧景文;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开实施例是有关于一种半导体装置、半导体封装件以及其制造方法。一种半导体装置包括衬底、内连线结构以及多个导电通孔。所述衬底具有第一侧、第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧的侧壁，其中所述侧壁包括所述衬底的第一部分的第一平面侧壁、所述衬底的第二部分的第二平面侧壁以及所述衬底的第三部分的弯曲侧壁，其中所述第一平面侧壁通过所述弯曲侧壁连接到所述第二平面侧壁。所述内连线结构位于所述衬底的所述第一侧上，其中所述内连线结构的侧壁自所述第二平面侧壁偏移。所述多个导电通孔位于所述内连线结构上，其中所述内连线结构位于所述多个导电通孔和所述衬底之间。
半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]集成电路、半导体封装以及半导体封装的制造方法-CN202210073216.5在审
发明人：朱强瑞;萧景文;刘浩君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种集成电路具有角落区以及角落区之间的非角落区，且包括半导体衬底、导电垫、钝化层、后钝化层、第一导电柱以及第二导电柱。导电垫配置在半导体衬底上。钝化层以及后钝化层依序地配置在导电垫上。第一导电柱以及第二导电柱配置在后钝化层上且与导电垫电连接。第一导电柱配置在角落区中且第二导电柱配置在非角落区中。每一第一导电柱具有主体部以及与主体部连接的突出部。第一导电柱的主体部的中心轴与第一导电柱的突出部的中心轴有偏移。
集成电路半导体封装以及制造方法

[发明专利]与重分布层的凸块集成-CN202210115574.8在审
发明人：杨挺立;蔡柏豪;萧景文;许鸿生;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开总体涉及与重分布层的凸块集成。一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成互连结构；在互连结构之上形成第一钝化层；在第一钝化层之上并且与互连结构电耦合地形成第一导电特征；在第一导电特征和第一钝化层之上共形地形成第二钝化层；在第二钝化层之上形成电介质层；以及在第一导电特征之上并且与第一导电特征电耦合地形成第一凸块过孔和第一导电凸块，其中，第一凸块过孔在第一导电凸块和第一导电特征之间，其中，第一凸块过孔延伸到电介质层中、穿过第二钝化层、并且接触第一导电特征，其中，第一导电凸块在电介质层之上并且电耦合到第一凸块过孔。
分布集成

[发明专利]芯片结构与其形成方法-CN202210001810.3在审
发明人：杨挺立;蔡柏豪;萧景文;许鸿生;苏昱泽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种芯片结构。芯片结构包含基板。芯片结构包含导电线，导电线位于基板的上方。芯片结构包含第一钝化层，第一钝化层位于基板与导电线的上方。芯片结构包含导电垫，导电垫位于第一钝化层的上方并覆盖导电线。导电垫比导电线更厚且更宽。芯片结构包含第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构，第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构穿过第一钝化层并直接连接于导电垫与导电线之间。芯片结构包含导电柱，导电柱位于导电垫的上方。
芯片结构与其形成方法

[发明专利]电感器、半导体器件及其制造方法-CN202110244125.9在审
发明人：郭建贤;黄宏麟;吕翰一;萧景文;亚历山大卡尔尼斯基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电感器包括芯体及缠绕在芯体周围的导电螺旋。芯体包括依序堆叠的缓冲层、刻蚀停止层及芯体材料层。芯体材料层包含铁磁材料。芯体材料层的垂直投影的总面积小于由刻蚀停止层占据的面积。芯体材料层的垂直投影完全落在刻蚀停止层上。刻蚀停止层相对于芯体材料层水平地突出。
电感器半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构、有机中介层及其形成方法-CN202111305467.3在审
发明人：蒋伟韩;郑明达;郑敬禾;张纬森;许鸿生;萧景文;陈俊宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构、有机中介层及其形成方法。该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所述至少一介电覆盖层之上。双层电感结构可包括下导电线圈、导电通孔结构以及上导电线圈。下导电线圈内埋于最顶层互连级介电材料层内。导电通孔结构垂直地延伸通过所述至少一介电覆盖层。上导电线圈内埋于接合级介电层内，并包括铜。
半导体结构有机中介及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910909760.7有效
发明人：刘浩君;萧景文;许国经;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：管芯结构，包括多个管芯区和多个第一密封环。多个第一密封环中的每一个围绕多个管芯区的相应管芯区。半导体器件还包括围绕多个第一密封环的第二密封环以及接合到管芯结构的多个连接件。多个连接件中的每一个具有细长的平面图形状。多个连接件中的每一个的细长平面图形状的长轴朝向管芯结构的中心定向。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110380558.7在审
发明人：郑明达;李梓光;刘浩君;蔡柏豪;林志贤;萧景文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]电装置-CN202010868009.X在审
发明人：朱强瑞;萧景文;刘浩君;郑明达;吴永华;张道生 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了电装置、半导体封装及其形成方法。本发明实施例的一种电装置包括衬底、导电接垫、导电柱以及焊料区。所述衬底具有表面。所述导电接垫设置在所述衬底的所述表面上。所述导电柱设置在所述导电接垫上并电连接到所述导电接垫，其中所述导电柱的顶表面相对于所述衬底的所述表面倾斜。所述焊料区设置在所述导电柱的所述顶表面上。
装置

[发明专利]半导体管芯封装件及其形成方法-CN201811390502.4在审
发明人： 萧景文;林志伟;张纬森;胡延章;潘国龙;黄育智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了层叠封装件的外围电连接，在管芯边缘处使用通过将衬底通孔(TSV)锯为两半而形成的侧壁通孔(TsV)来形成管芯封装件的机制的各个实施例能够使各种半导体管芯和无源部件电连接以实现目标电性能。与TsV一起使用具有再分布层(RDL)的再分布结构能够实现电连接。由于TsV远离器件区域，所以器件区域不会经受TSV形成所引起的应力。此外，通过TsV电连接上部管芯与下部管芯增加了管芯封装件的面积利用率。
电连接管芯封装件器件区域半导体管芯封装半导体管芯层叠封装件面积利用率侧壁通孔管芯边缘无源部件再分布层电性能上部管下部管再分布衬底通孔外围

[发明专利]重布线路结构-CN201810339642.2在审
发明人：杜尚耘;萧景文;吴胜郁;陈清晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例公开一种重布线路结构。重布线路结构包括第一导电结构、介电层及第二导电结构。介电层设置在所述第一导电结构之上且暴露出所述第一导电结构的一部分。第二导电结构设置在所述介电层中以电连接到所述第一导电结构，且包括第一导电层及第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上且电连接到所述第一导电层，其中所述第一导电层包括上表面，所述上表面在整个边缘处具有突起部。
导电结构第一导电层重布线路结构介电层第二导电层电连接上表面边缘处突起部暴露

[发明专利]半导体封装组件-CN201610182901.6有效
发明人：林子闳;彭逸轩;萧景文 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装组件，以将电子元件(如无源元件)嵌入于重布线结构内。其中，该半导体封装组件包括半导体封装体，且该半导体封装体包括：重布线结构，具有第一表面及与其相对的第二表面；半导体裸芯片，设置于该第一重布线结构的该第一表面上；模塑化合物，设置于该第一重布线结构的该第一表面上，且围绕该第一半导体裸芯片；以及电子元件，嵌入于该第一重布线结构内，且经由该第一重布线结构电性耦接至该第一半导体裸芯片。
半导体封装组件

[发明专利]半导体封装、半导体封装结构及制造半导体封装的方法-CN201610140408.8有效
发明人：林子闳;彭逸轩;萧景文 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装、半导体封装结构及制造半导体封装的方法，以改善半导体封装的稳定性。其中该半导体封装结构包括：半导体封装。该半导体封装包括：半导体祼芯片、重分布层结构和导电柱结构。其中，该重分布层结构耦接至该半导体祼芯片，该导电柱结构设置在该重分布层结构中远离该祼芯片的表面上，并耦接至该重分布层结构。
半导体封装结构制造方法

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