[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610220688.3 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107293513B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李海艇;黄河;朱继光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一衬底的第一表面一侧形成有功能材料层，在所述功能材料层内形成有晶体管和第一互连结构；形成内嵌于所述功能材料层表面的第一顶部金属层、第二顶部金属层和第三顶部金属层，所述第一顶部金属层与所述第一互连结构电连接；提供第二衬底，将第二衬底与所述功能材料层相接合；从所述第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理；同时形成第二金属层和导电插塞，并且所述第二金属层与所述第二顶部金属层电连接，所述导电插塞与所述第三顶部金属层电连接。所述方法工艺步骤更加简单，提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一衬底的第一表面一侧形成有功能材料层，在所述功能材料层内形成有晶体管和第一互连结构；形成内嵌于所述功能材料层表面的第一顶部金属层、第二顶部金属层和第三顶部金属层，所述第一顶部金属层与所述第一互连结构电连接；提供第二衬底，将所述第二衬底与所述第一衬底表面的所述功能材料层相接合；从所述第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理；同时形成第二金属层和导电插塞，所述第二金属层和所述导电插塞从所述第一衬底的所述第二表面一侧形成，并且所述第二金属层与所述第二顶部金属层电连接，所述导电插塞与所述第三顶部金属层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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