[发明专利]半导体结构及其形成方法和检测方法有效
| 申请号： | 201610210758.7 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107293589B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;G01R31/26 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法和检测方法，其中，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括邻近的器件区和测试区；位于所述器件区的半导体器件；位于所述测试区基底表面的测试栅极结构，所述测试栅极结构包括：位于所述测试区基底表面的导热栅介质层；位于所述导热栅介质层上的测试栅极。其中，通过测量测试栅极结构的电阻率得出测试栅极的温度，进而得出半导体器件的温度，实现对半导体器件热效应的检测。对半导体器件热效应的检测能够对半导体器件进行监控，防止温度过高使半导体器件性能不稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 检测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底包括邻近的器件区和测试区；/n位于所述器件区的半导体器件，所述器件区包括分别位于测试区两侧的第一器件区和第二器件区；所述半导体器件包括：位于所述第一器件区的第一器件；位于所述第二器件区的第二器件；/n所述第一器件包括：位于所述第一器件区基底上的第一栅极结构；位于所述第一栅极结构和测试栅极结构之间基底中的第一源区，其中，所述第一栅极结构包括：位于所述第一器件区基底上的第一栅介质层；位于所述第一栅介质层上的第一功函数层；位于所述第一功函数层上的第一栅极；/n所述第二器件包括：位于所述第二器件区基底上的第二栅极结构；位于所述第二栅极结构和测试栅极结构之间基底中的第二源区，其中，所述第二栅极结构包括：位于所述第二器件区基底上的第二栅介质层；位于所述第二栅介质层上的第二功函数层；位于所述第二功函数层上的第二栅极；/n位于所述测试区基底表面的测试栅极结构，所述测试栅极结构包括：位于所述测试区基底表面的导热栅介质层；位于所述导热栅介质层上的测试功函数层，位于所述测试功函数层上的测试栅极；/n所述第一源区、第二源区和测试栅极结构形成第三器件；/n所述第一功函数层与第二功函数层的类型相同，所述测试功函数层与所述第一功函数层和第二功函数层的类型不同。/n
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