[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201510343269.4 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104900772B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开发光二极管的制备方法，具有显著增加光的反射，增强发光二极管发光效率的有益效果，是通过以下步骤实现的（1）提供一生长衬底；（2）在生长衬底上依次沉积缓冲层、N型层、发光层和P型层；（3）分别在N型层和P型层上制备N电极和P电极；（4）对生长衬底背面研磨减薄；（5）提供一与生长衬底直径相同的Si衬底；（6）将Si衬底与生长衬底背面进行对位；（7）通过键合工艺将Si衬底键合在生长衬底背面，然后研磨减薄，形成薄层Si；（8）对生长衬底背面上薄层Si进行热氧化反应，形成Si/SiO2结构；（9）循环步骤（5）~（8），形成n对Si/SiO2组成的DBR结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管的制备方法，包括以下制备步骤：（1）提供一生长衬底；（2）在生长衬底上依次沉积缓冲层、N型层、发光层和P型层；（3）分别在N型层和P型层上制备N电极和P电极；（4）对生长衬底背面研磨减薄；（5）提供一与生长衬底直径相同的Si衬底；（6）将Si衬底与生长衬底背面进行对位；（7）通过键合工艺将Si衬底键合在生长衬底背面，然后研磨减薄，形成薄层Si，薄层Si厚度为10 ~1000 nm；（8）对生长衬底背面上薄层Si进行热氧化反应，形成Si/SiO2结构；（9）循环步骤（5）~（8），形成n对Si/SiO2组成的DBR结构。
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- 本实用新型公开了一半导体发光芯片，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。
- 可调谐光发射器件及其制备方法-201811218819.X
- 张保平 - 世坤（厦门）半导体科技有限公司
- 2018-10-19 - 2019-03-19 - H01L33/10
- 本发明提供了一种可调谐光发射器件及其制备方法，具有一外延层结构，位于外延层结构两侧的上反射镜和下反射镜，以及分别与外延层结构相连的上电极和下电极；外延层结构具有第一类型外延层、第二类型外延层、位于第一类型外延层和第二类型外延层之间的有源区；第一类型不同于第二类型；有源区采用不同尺寸、不同材料和/或不同结构的量子结构和/或纳米结构。本发明采用宽光谱增益有源区，得到了可调谐增益特性。结合谐振腔效应，得到了发光波长在不同模式之间可调谐输出特性。由于采用了不同尺寸、不同结合和不同化学组分的纳米结构和/或量子点结构，引起能带结构变化，获得宽光谱增益，再结合谐振腔的选模作用，实现大范围多模式可调谐。
- 发光二极管元件-201610235831.6
- 陈吉兴;陈怡名;许嘉良 - 晶元光电股份有限公司
- 2011-07-25 - 2019-03-19 - H01L33/10
- 本发明关于一种发光二极管元件，发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极。导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域。半导体磊晶叠层位于导电成长基板的第一区域上。半导体磊晶叠层包括依序堆栈于第一区域1A上的反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；第一电极位于第二半导体层上；第二电极位于第二区域上，通过导电成长基板与半导体磊晶叠层电性连结；第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。相较现有技术，本发明的发光二极管元件提升了亮度，并增强了第二电极和导电成长基板的粘着力，防止第二电极脱离导电成长基板。
- 一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法-201710134634.X
- 郑锦坚;王星河;叶芳;康俊勇 - 王星河
- 2017-03-08 - 2019-03-15 - H01L33/10
- 本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，其公开的一种氮化物半导体发光二极管中，在图形化衬底的图形之间具有N个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层，周期N≥1，所述V形坑层的V形坑斜面为（10‑10）晶面，V形坑之间的平面为（0001）面，每一个周期V形坑层的材料为InxGa1‑xN/GaN(0
- 专利分类
