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[发明专利]显示面板及显示装置-CN202310375857.0在审
发明人：张瑞锋;黄寅虎;苏冬冬;严俊凯;高锦成;汪涛;赵立星;柳泉洲;李响;李秋静 -专利权人：云南创视界光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括：依次层叠设置的基板、第二电极层、第一电极层、保护层和网格导电层，所述第二电极层和所述基板之间设有发光结构层，所述发光结构层位于所述显示面板的显示区，所述保护层设有过孔，所述网格导电层通过所述过孔与所述第一电极层连接。本申请提供的显示面板及显示装置，结构简单，制作方便，可以有效保护电极层，降低电极材料损失，避免膜层分离，确保了显示效果。
显示面板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置-CN202110378794.5有效
发明人：汪涛;高锦成;钱海蛟;陈亮;赵立星;刘泽旭;张瑞锋;毛金翔;张冠永;陆文涛;姜涛 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法及显示装置。所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。可以消除由于半导体拖尾造成的水波纹不良。
薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置-CN202310134035.3在审
发明人：刘泽旭;高锦成;赵立星;张瑞锋;汪涛;柳泉洲;刘书含;张嘉;陆文涛 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中存在因金属层出现显示不良的问题，该显示面板包括：彩膜基板，所述彩膜基板包括黑矩阵；阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；所述阵列基板包括多条信号线及遮光结构，所述遮光结构位于所述多条信号线远离所述彩膜基板的一侧，并至少覆盖所述多条信号线的一部分，所述黑矩阵覆盖所述多条信号线。
一种显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置-CN202110298554.4有效
发明人：陈亮;高锦成;钱海蛟;姜涛;刘泽旭;汪涛;赵立星;张冠永;柳泉洲;刘建涛 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：在薄膜晶体管结构背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层；在第二绝缘层背离衬底基板的一侧依次形成色阻层和第三绝缘层，第三绝缘层开设有第一过孔和第二过孔，第一过孔在衬底基板上的正投影与源漏金属层在衬底基板上的正投影至少部分相交，第一过孔与第二绝缘层之间保留有色阻层和/或第三绝缘层，第二过孔暴露出第二绝缘层；采用刻蚀工艺对第一过孔位置和第二过孔位置进行刻蚀，在第一过孔位置暴露出至少部分源漏金属层，在第二过孔位置暴露出至少部分栅金属层。本公开的技术方案，可以避免第一过孔位置的金属过早暴露，防止第一过孔位置的金属氧化严重，避免产品出现显示不良。
一种显示制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板、控光面板和显示装置-CN201980002573.9有效
发明人：张瑞锋;高锦成;姜涛;张冠永 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种阵列基板、控光面板和显示装置。该阵列基板包括第一和第二信号线。第一信号线包括顺次直接相连多个折线结构，每个折线结构包括顺次直接相连的第一、二和三走线部分；第一和第三走线部分的延伸方向均与第一方向相交；第一走线部分与第二走线部分相交形成第一夹角；第二走线部分包括第一边和第二边，其分别位于第一夹角的内侧和外侧；第一走线部分和第三走线部分的靠近第二信号线的边分别在第一位置和第二位置与第一边相交；第二信号线在第一信号线所在电极层上的正投影的靠近第一和第三走线部分的边分别在第三位置和第四位置与第一边相交；第一边的位于第一和第二位置之间的线段的长度大于第一边的位于第三和第四位置之间的线段长度。
阵列面板显示装置

[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置-CN201910763909.5有效
发明人：钱海蛟;姜涛;高锦成;陈亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种显示基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决通过一次构图工艺同时形成层叠设置的两层功能图形时，无法实现上层功能图形和下层功能图形精确的尺寸对应关系，导致对显示基板的工作性能产生影响的问题。所述制作方法包括：在基底上依次形成层叠设置的第一过渡功能图形、第二过渡功能图形和光刻胶图形，光刻胶图形覆盖第二过渡功能图形的边缘区域；对光刻胶图形进行烘烤，使部分光刻胶图形覆盖第二过渡功能图形的侧表面；以烘烤后的光刻胶图形为掩膜，对第二过渡功能图形进行湿法刻蚀，形成第二目标功能图形，并对第一过渡功能图形进行刻蚀，形成第一目标功能图形。本发明提供的制作方法用于制作显示基板。
一种显示及其制作方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201911312859.5有效
发明人：陈亮;钱海蛟;高锦成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基波以及设置在衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变源极、漏极和有源层之间的位置关系，仅使用一层导电缓冲层连通源极、漏极和有源层，并且该导电缓冲层还完全覆盖源极和漏极，既节省了缓冲层，又避免了源极与漏极被氧化的风险，提高了TFT的特性。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板和装置-CN202110551192.5在审
发明人：刘颀;刘建涛;先建波;张伟;高锦成;江亮亮 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示面板和装置，涉及显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：栅极和有源层，位于衬底基板的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅极和所述有源层之间；和间隔开的源极和漏极，均与所述有源层接触，其中，所述栅极绝缘层的厚度与所述有源层的厚度的第一比值的范围为3至4。
薄膜晶体管及其制造方法阵列显示面板装置

[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置-CN202110452845.4在审
发明人：柳泉洲;张伟;高锦成 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本公开属于显示技术领域，涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括：相对设置的第一衬底和第二衬底；晶体管形成在第一衬底上；有机绝缘层形成在第一衬底上并覆盖晶体管包括第一有机绝缘部和第二有机绝缘部，第一有机绝缘部覆盖布线区，第二有机绝缘部覆盖子像素区，第一有机绝缘部的厚度大于第二有机绝缘部的厚度；隔垫物形成在第二衬底朝向第一衬底的一侧，且隔垫物在第一衬底上的正投影位于第一有机绝缘部在第一衬底上的正投影内。该方案增加了隔垫物下表面到阵列基板像素区的相对距离，避免隔垫物受挤压倾斜至像素区划伤像素区膜层。
显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置-CN202110302680.2在审
发明人：刘泽旭;高锦成;钱海蛟;赵立星;陈亮;汪涛;朱登攀;陆文涛;张冠永 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，以降低栅极与源极短路不良以及源极与公共电极走线短路不良的产生，从而提高了产品良率。该阵列基板沿厚度方向包括：衬底基板；栅极线固定部和公共电极，栅极线固定部和公共电极的材料为相同的导电材料且位于同一结构层中；设置在栅极线固定部上的栅极线、以及设置在公共电极上的公共电极走线，所述栅极线固定部用于将所述栅极线固定于所述衬底基板上。该显示面板包括该阵列基板。该显示装置包括该显示面板。该制作方法用于制作该阵列基板。
阵列及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]3D显示器件以及3D显示装置-CN202210764123.7在审
发明人：李方庆;高锦成;陈凯;吴旺娣 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本公开涉及3D显示技术领域，公开了一种3D显示器件以及3D显示装置；3D显示器件包括：第一衬底基板；第一电极层设于第一衬底基板的一侧，第一电极层包括多个第一电极；吸附层设于第一电极层背离第一衬底基板的一侧；隔离层设于吸附层背离第一衬底基板的一侧，隔离层上设置有多个开口部；在开口部内依次层叠设置有疏水层和亲水层，疏水层包括多个疏水部，亲水层包括多个亲水部；第二电极层设于隔离层背离第一衬底基板的一侧，第二电极层包括多个第二电极，第二电极在第一衬底基板上的正投影与第一电极在第一衬底基板上的正投影有交叠；第一电极和第二电极施加电压，以使疏水部形成透镜，通过透镜可以实现3D显示。
显示器件以及显示装置

[发明专利]过驱动调节单元及方法、显示面板以及显示装置-CN202210830685.7在审
发明人：鲁思颖;高锦成;陈沫;韩飞;鲍王婷;杨秀琴 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种过驱动调节单元及方法、显示面板以及显示装置，本申请实施例的过驱动调节单元包括：感测电路，包括温度传感器，被配置为通过所述温度传感器感测显示面板的温度，基于所述温度输出反馈电压；调节电路，被配置为基于接收到的所述反馈电压选择至少两个过驱动表中的一个，以调节所述显示面板的数据信号的过压驱动值。本申请提供的实施例通过设置感测电路感测显示面板的温度来输出反馈电压，并通过调节电路基于该反馈电压选择对应的过驱动表以用于调节数据信号的过驱动电压值，从而能够使显示面板在不同温度下始终保持稳定的响应时间。
驱动调节单元方法显示面板以及显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202010615321.8有效
发明人：陈亮;高锦成;钱海蛟;赵立星;汪涛;胡志强;刘泽旭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开的实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，通过保护图案阻挡氢原子由间隔区域侵入有源层，避免有源层出现负偏压温度光照阈值电压漂移恶化及导体化的现象，优化了薄膜晶体管的特性。阵列基板包括衬底、栅极、有源层、源极、漏极、第一钝化层、保护图案和像素电极。其中，沿平行于衬底的方向，源极与漏极之间间隔设置且具有间隔区域。源极和漏极分别与有源层耦接。保护图案和像素电极材料相同且同层设置。像素电极与源极或漏极耦接。保护图案在衬底上的正投影，覆盖间隔区域在衬底上的正投影。保护图案可阻挡氢原子由间隔区域侵入有源层。上述阵列基板应用于显示装置中，以使显示装置显示画面。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置-CN202210177668.8在审
发明人：陈凯;陈沫;韩飞;吴旺娣;李方庆;高锦成;赵洁;鲍王婷 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G09G3/3275 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高发光器件的发光稳定性。该像素电路包括第一开关电路、第二开关电路、第一驱动电路、第二驱动电路以及发光器件。第一开关电路被配置为将第一输入信号传输至第一节点。第一驱动电路被配置为将第一电压信号传输至发光器件的第一极。第二开关电路被配置为将第二输入信号传输至第二节点。第二驱动电路被配置为将第一电压信号传输至发光器件的第一极。在第一驱动电路和第二驱动电路中的一者将第一电压信号传输至发光器件的第一极的情况下，另一者处于截止状态。所述像素电路及其驱动方法、显示装用于图像显示。
像素电路及其驱动方法显示装置

[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和装置-CN202121094150.5有效
发明人：刘颀;刘建涛;先建波;张伟;高锦成;江亮亮 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和装置，涉及显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：栅极和有源层，位于衬底基板的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅极和所述有源层之间；和间隔开的源极和漏极，均与所述有源层接触，其中，所述栅极绝缘层的厚度与所述有源层的厚度的第一比值的范围为3至4。
薄膜晶体管阵列显示面板装置

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