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- [发明专利]一种发光二极管-CN201410584482.X有效
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董木森;申利莹;王笃祥;吴超瑜;王良均
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天津三安光电有限公司
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2014-10-28
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2019-03-29
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H01L33/08
- 本发明公开了一种发光二极管，至少包括：N型层、发光层以及P型层，其特征在于：所述发光层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加空穴和电子的复合几率，提高内量子效率；进一步地，N型层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加光的反射，提高光取出效率，提高外量子效率，从而显著提高发光二极管的发光效率；而且直接利用在外延制程中通过调节生长速率、厚度、温度、压力或掺杂形成V型坑，无需蚀刻工艺，避免对发光二极管外延层的破坏，简化工艺，提高器件稳定性。
- 一种发光二极管
- [发明专利]一种光电器件的制备方法-CN201510099385.6有效
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董木森;申利莹;王良均;吴超瑜;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2015-03-06
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2017-08-18
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H01L33/00
- 本发明公开了一种光电器件的制备方法，在衬底载入反应室之后和生长外延层之前，对衬底进行UVLED处理，有效降低衬底在放入载片盘和载入反应室过程中引起的表面有机或/和无机物污染，保证在生长外延层前表面清洁，避免外延层生长后表面缺陷的产生；在所述UVLED处理后的衬底上生长N型、有源和P型外延层，在各外延层生长过程中同时进行UVLED处理，有效降低各掺杂或非掺AlInGaN、AlGaInP、AlGaInAs多元外延层中的点缺陷，提升晶体质量，同时可打断P型层的Mg‑H钝化键，因此可以有效提升N型和P型层自由载流子浓度和迁移率，提升有源区效率，进而提高光电器件的性能，适用于半导体光电器件。
- 一种光电器件制备方法
- [发明专利]发光二极管的制备方法-CN201510343269.4有效
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申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2015-06-19
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2017-06-16
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H01L33/10
- 本发明公开发光二极管的制备方法，具有显著增加光的反射，增强发光二极管发光效率的有益效果，是通过以下步骤实现的（1）提供一生长衬底；（2）在生长衬底上依次沉积缓冲层、N型层、发光层和P型层；（3）分别在N型层和P型层上制备N电极和P电极；（4）对生长衬底背面研磨减薄；（5）提供一与生长衬底直径相同的Si衬底；（6）将Si衬底与生长衬底背面进行对位；（7）通过键合工艺将Si衬底键合在生长衬底背面，然后研磨减薄，形成薄层Si；（8）对生长衬底背面上薄层Si进行热氧化反应，形成Si/SiO2结构；（9）循环步骤（5）~（8），形成n对Si/SiO2组成的DBR结构。
- 发光二极管制备方法
- [发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201610773503.1在审
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申利莹;谢创宇;林仕尉;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2016-08-31
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2017-01-04
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H01G9/20
- 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池依次包括：导电基板、光阳极、量子点敏化剂、电解液、对电极、透明导电玻璃；所述量子点敏化剂为由CdS量子点层/CuxS壳层组成的量子点结构、或由CdSe量子点层/CuxSe壳层组成的量子点结构、或由CdTe量子点层/CuxTe壳层组成的量子点结构、或为以上量子点结构的任意组合；所述光阳极可以为TiO2纳米层、ZnO纳米层。本发明所设计制备的太阳能电池，壳层具有比光阳极和量子点层更窄的带隙，可以提高空穴的传输效率，使电子和空穴可以快速地分离，降低电池内部的电荷复合，提高电子收集效率，并且相对于传统CdS量子点层结构具有更宽的吸收光谱及更高的光吸收率，因此，可以有效提高太阳能电池的光电转换效率。
- 太阳能电池及其制备方法
- [实用新型]一种LED晶圆片测试系统-CN201620273270.4有效
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申利莹;张君逸;谢创宇;林仕蔚;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2016-04-05
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2016-12-07
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G01R31/26
- 本实用新型公开了一种LED晶圆片测试系统，包括载片盘、探针盘、控制系统和积分球采集系统；所述探针盘上具有矩阵排列的控制电路和矩阵排列且可伸缩的探针；所述控制电路用于控制探针的伸缩，同时使探针按测试间隔排列并向其输入设置的电流或电压；所述控制系统用于控制矩阵排列的控制电路、设置LED晶圆片的测试间隔及测试电流或电压。采用本测试系统，不必移动载片盘或探针或采集系统，可以快速完成LED晶圆片的抽测或全测，同时测试间隔可根据需要任意调节，由此可以显著缩短LED晶圆片的抽测时间、以及全测时间，提高LED测试系统的测试效率和产能。尤其适用于抽测，在快速完成抽测后可以及时判定LED晶圆片的光电等级后进入后道制程，缩短LED生产周期。
- 一种led晶圆片测试系统
- [实用新型]发光二极管芯片-CN201620392112.0有效
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申利莹;张君逸;谢创宇;林仕尉;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2016-05-04
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2016-11-16
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H01L33/08
- 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、一个第一电极及x个第二电极，所述发光层和第二类型半导体层划分为x个相互电隔离的发光区（x为大于等于2的正整数），所述第一电极与所述第一类型半导体层连接；所述x个第二电极分别与x个发光区的第二类型半导体层连接，所述x个发光区共用所述第一电极，并通过设于各个发光区上的x个第二电极独立控制各个发光区的电流注入，实现各个发光区独立发光或者同时发光。本实用新型所述的发光二极管芯片可以实现芯片级白光照明和紫外光消毒的功能，并且照明颜色可根据实际需要进行设计，应用前景高；避免传统LED照明灯和紫外LED消毒灯分开设计制造所产生的额外工艺和成本。
- 发光二极管芯片
- [实用新型]一种圆片真空吸盘-CN201620237017.3有效
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申利莹;张君逸;谢创宇;林仕尉;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥
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天津三安光电有限公司
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2016-03-25
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2016-08-10
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H01L21/683
- 本实用新型公开了一种圆片真空吸盘，包括盘体和若干真空吸孔；所述盘体具有若干曝光角度线，所述曝光角度线的角度范围为0~90度；所述若干曝光角度线的长度均相等；所述若干曝光角度线的中点与真空吸盘盘体圆边的距离均相等。以上所述LED圆片真空吸盘用于曝光作业时，可以快速准确对位LED圆片的曝光角度，并且角度可任意选择，避免传统真空吸盘曝光作业时产生的曝光角度误差，提升LED圆片曝光角度作业的一致性，避免切割作业差异，进而提升切割良率从而提升LED芯片良率；同时，上述LED圆片真空吸盘用于测试作业时，可以快速准确对位LED圆片芯粒的方向，减少调节芯粒对位的作业时间，进而提升测试效率。
- 一种真空吸盘
- [发明专利]氮化物系发光二极管-CN201410468507.X在审
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董木森;申利莹;王笃祥;王良均
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天津三安光电有限公司
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2014-09-16
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2015-01-21
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H01L33/06
- 本发明公开了一种氮化物系发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型氮化物层、(InxGa1-xN/GaN)nMQW发光层和P型氮化物层，所述MQW结构InxGa1-xN阱层中插入至少一渐变InN层。本发明所述阱层中渐变InN层的插入，可以有效弱化量子阱极化场，使得量子阱的能带由倾斜变得平缓，从而增强载流子在阱层中的注入和扩散，进而增加电子和空穴复合几率，增加内量子效率，最终，提高发光二极管的发光效率并降低efficiencydroop效应，并且不会影响LED光谱半高宽、波长控制和波长稳定性。
- 氮化物发光二极管
- [发明专利]一种发光二极管-CN201410456524.1在审
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董木森;申利莹;王笃祥;王良均
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天津三安光电有限公司
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2014-09-10
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2014-12-10
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H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层。所述MQW发光层由周期性阱/垒交替堆叠而成，所述阱层为InxGa1-xN层，所述垒层为同时掺N/P的GaN层，可以为均匀掺杂、非均匀掺杂或delta掺杂，掺杂N/P垒层个数和垒层中N/P掺杂周期、掺杂区域和掺杂浓度均可调节。本发明采用以上在MQW结构GaN垒层中同时进行N/P掺杂形成隧穿结，可有效提高空穴和电子在整个MQW区域的传输和扩散，从而拓宽MQW的发光区域并提高空穴和电子的复合几率，最终，显著提高发光二极管的发光效率。
- 一种发光二极管
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