[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510274919.4 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104966735A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 高云斌;李诚瞻;刘国友;吴煜东;史晶晶;赵艳黎 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘烽 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道和部分N+源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。优选所述碳化硅MOSFET器件的JFET区宽度为2～6μm。本发明在有效减小栅氧化层电场强度的同时，不致影响器件阈值电压和栅控特性。继而充分扩展设计余量，通过采用较宽的JFET区结构，进一步减小器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道区和部分N+源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。
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