[发明专利]电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201410499304.7 申请日: 2014-09-25
公开(公告)号: CN104299983B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 井口真介;廖金龙;高雪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/02 分类号: H01L29/02;H01L33/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 彭瑞欣,陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置,该电致发光器件包括基板和形成于基板的上方的像素界定层,像素界定层上形成有像素开口矩阵,该像素开口矩阵包括多个像素开口,像素开口内形成有电致发光层,处于同一列的全部电致发光层中至少存在一个电致发光层与其他电致发光层的厚度不相等。本发明通过将电致发光器件内的处于同一列的全部电致发光层中设置至少一个电致发光层与其他电致发光层的厚度不相等,从而使得对应列中的电致发光层在发光时所产生的亮度不均匀,进而使得电致发光器件上的条纹mura被淡化,提升了该电致发光器件的品质。
搜索关键词: 电致发光 器件 及其 制造 方法 显示 显示装置
【主权项】:
一种电致发光器件,其特征在于,包括:基板和形成于所述基板的上方的像素界定层,所述像素界定层围成有像素开口矩阵,所述像素开口矩阵中的每个像素开口内形成有预定颜色的电致发光层,在所述像素开口矩阵中,处于同一列的全部所述像素开口对应相同颜色的电致发光层,处于同一列的全部所述像素开口中至少存在一个像素开口与其他的像素开口的开口面积不相等,处于同一列中的各所述像素开口中的电致发光层的体积相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410499304.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种电子束准直装置及电子束准直系统-201610242353.1
  • 尤文龙;王雪峰 - 苏州大学
  • 2016-04-19 - 2018-09-11 - H01L29/02
  • 本发明提供的一种电子束准直装置及电子束准直系统,其中,一种电子束准直装置,包括准直模块,该准直模块包括叠在一起的三层外尔半金属薄膜,三层外尔半金属薄膜中位于两侧的两层外尔半金属薄膜为相同的薄膜,且位于中间的外尔半金属薄膜与位于两侧的外尔半金属薄膜的外尔节点能量不同,以由垂直外尔半金属薄膜射入准直模块且能量在预设能量范围内的电子中获取横向动量在预设动量范围内的电子并射出。由此,由垂直外尔半金属薄膜射入的电子中获取到横向动量在预设动量范围内的电子,进而将其射出,其中,预设动量范围为0或者接近于0的范围,因此,射出电子不会在横向动量的影响下偏移原来的轨道运动,准直效果较佳。
  • 用于高电子迁移率晶体管的衬底-201510315434.5
  • 闫发旺;张峰;王文宇 - 上海新傲科技股份有限公司
  • 2015-06-10 - 2018-08-24 - H01L29/02
  • 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底,包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层、以及沟道层表面的势垒层,所述高阻层、沟道层以及势垒层的材料均为氮化物,所述沟道层的材料为掺杂元素浓度为1×1015cm‑3~9×1019cm‑3的GaN材料,所述掺杂元素选自于As和P中的一种,以及两者的混合物。本发明的优点在于,外延生长氮化物沟道层过程中掺入等电子元素砷或磷,以改善材料的微观电子结构,降低缺陷密度,改善晶格完整性,提高晶体质量,从而提高材料的电子特性如电子迁移率、降低方块面电阻等。
  • 电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置-201410499304.7
  • 井口真介;廖金龙;高雪 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2014-09-25 - 2017-12-08 - H01L29/02
  • 本发明公开了一种电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置,该电致发光器件包括基板和形成于基板的上方的像素界定层,像素界定层上形成有像素开口矩阵,该像素开口矩阵包括多个像素开口,像素开口内形成有电致发光层,处于同一列的全部电致发光层中至少存在一个电致发光层与其他电致发光层的厚度不相等。本发明通过将电致发光器件内的处于同一列的全部电致发光层中设置至少一个电致发光层与其他电致发光层的厚度不相等,从而使得对应列中的电致发光层在发光时所产生的亮度不均匀,进而使得电致发光器件上的条纹mura被淡化,提升了该电致发光器件的品质。
  • 一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构-201620430747.5
  • 王国峰 - 上海芯石微电子有限公司
  • 2016-05-13 - 2017-02-15 - H01L29/02
  • 本实用新型的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构,在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结,具有自调制效应,形成良好的软恢复特性;此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片,在加工过程中不易碎片;此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本实用新型的含阴极辅助的快恢复二极管材料片,与传统的外延片加工相比,具有良好的快速、软恢复特性,成本更低。
  • 一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构及其制造方法-201610314304.4
  • 王国峰 - 上海芯石微电子有限公司
  • 2016-05-13 - 2016-07-13 - H01L29/02
  • 本发明的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构,在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结,具有自调制效应,形成良好的软恢复特性;此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片,在加工过程中不易碎片;此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本发明的含阴极辅助的快恢复二极管材料片,与传统的外延片加工相比,具有良好的快速、软恢复特性,成本更低。
  • 衬底结构及其制造方法-201410287674.4
  • 陈建桦;李德章;谢盛祺 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2014-06-24 - 2016-01-13 - H01L29/02
  • 本发明涉及一种衬底结构,其包括:绝缘衬底,所述绝缘衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述绝缘衬底包括从所述第一表面形成到所述绝缘衬底中的第一沟槽,所述第一沟槽由第一侧壁及第一底部形成。所述衬底结构包括第一导电材料,至少部分所述第一导电材料位于所述第一沟槽中,其中所述第一导电材料具有第一表面,所述第一表面未接触所述第一底部及所述第一侧壁。
  • 集成电路以及用于生产集成电路的系统和方法-201380057171.1
  • D·E·尼科诺夫;R·L·赞克曼;R·金;J·潘 - 英特尔公司
  • 2013-11-21 - 2015-07-01 - H01L29/02
  • 本发明描述了包括半导体有机材料的三维集成电路。在一些实施例中,三维集成电路包括一个或多个电子部件,一个或多个电子部件包括由一种或多种半导体有机材料形成的半导体区。三维集成电路的电子部件还可以包括由有机绝缘材料形成的绝缘区和由导电材料形成的导电区。三维集成电路可以由诸如三维印刷的加法制造工艺形成。本发明还描述了用于生产和测试三维集成电路的装置和方法。
  • 电子设备和系统及其生产和使用方法-201080061745.9
  • 斯科特·E·汤普森;达莫代尔·R·图马拉帕利 - 苏沃塔公司
  • 2010-11-08 - 2013-01-16 - H01L29/02
  • 提供了一系列新型结构和方法,以降低多种电子设备和系统中的功耗。这些结构和方法中的一些可主要通过重复使用现有的体效应CMOS工艺流程和制造技术来实施,以避免半导体产业和更广泛的电子产业高成本且高风险地切换到替代的技术。如上所述,一些结构和方法涉及深度耗尽通道(DDC)设计,以使基于CMOS的设备具有比传统体效应CMOS更小的σVT,并且能够更精确地设定在通道区域中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT。该DDC设计也可具有比传统体效应CMOS晶体管更强的体效应,这使得能够显著地动态控制DDC晶体管中的功耗。
  • 陶瓷衬底的氮化镓基芯片-201020574260.7
  • 金木子;彭刚 - 金木子
  • 2010-10-17 - 2011-11-30 - H01L29/02
  • 本实用新型的陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层。陶瓷衬底包括,氮化铝陶瓷衬底、氧化铝陶瓷衬底、碳化硅陶瓷衬底、氮化硼陶瓷衬底、氧化锆陶瓷衬底、氧化镁陶瓷衬底。缓冲层的结构包括,低温氮化铝层、成分分层结构、高温氮化铝层、中间媒介层、它们的组合。成分分层结构包括,氮化镓-铝镓氮-氮化铝(AlxGa1-xN),其中0≤X≤1。中间媒介层有单层或多层结构,中间媒介层包括,金属元素铝、钛、钒、铬、钪、锆、铪、钨、铊、镉、铟、金、上述金属元素的组合、上述金属元素的合金、上述金属的氮化物。本实用新型的基于陶瓷衬底的垂直结构的氮化镓基芯片包括导电支持衬底和氮化镓基外延层。
  • 半导体装置及其制造方法-201010565430.X
  • 楢崎敦司 - 三菱电机株式会社
  • 2010-11-30 - 2011-09-28 - H01L29/02
  • 本发明涉及半导体装置及其制造方法。其目的在于提供一种能够一边维持高耐压,一边实现终端区域的缩小的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备:单元活性区域,其包含在作为第1导电型的半导体衬底的高浓度N型衬底(1)上扩散的作为第2导电型的活性层的P基极层(3);以及作为第2导电型的环状的第1阱区域的P阱层(4),与P基极层(3)邻接,以包围单元活性区域的方式在高浓度N型衬底(1)上扩散,是保护环结构的主结部,在P阱层(4)表面的除了两端的区域中,沿着该P阱层4的环状,形成有作为其侧面是向上扩展的锥形状的环状的凹部的沟槽区域(5)。
  • 半导体基板及其相关制造方法-201010242504.6
  • 宋健民 - 宋健民
  • 2010-07-29 - 2011-03-23 - H01L29/02
  • 本发明涉及半导体基板及其相关制造方法。本发明提供具有良好性能及散热能力的半导体基板、装置及其制造方法,举例而言,在一方面中,一半导体装置包含一母层及多个沉积该母层上的单晶半导体区块,所述多个半导体区块被相互定位,且大致上所有的多个钻石区块的一个裸露的表面沿着共同的平面排列,以形成一个基板表面。在一方面中,有一沉积于基板表面的半导体层;在另一方面中,该半导体层为一具有掺杂的钻石层;又在一方面中,所述半导体区块具有掺杂;又在另一方面中,各个半导体区块裸露的表面具有相同的结晶方向。
  • 纳米级ULSI-Cu布线HfSiN扩散阻挡层薄膜及制备工艺-201010285661.5
  • 陈秀华;张伟强;项金钟;张在玉;王莉红 - 云南大学
  • 2010-09-18 - 2011-02-09 - H01L29/02
  • 本发明公开了一种纳米级超大规模集成电路(ULSI)Cu布线HfSiN扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是在Si基底上有一层由Hf靶或Si靶或HfSi合金靶溅射沉积的非晶态HfSiN薄膜,且非晶态HfSiN薄膜总厚度≤45nm,其工艺是利用射频磁控溅射工艺在高真空下,N2与Ar混合后,经射频磁控溅射沉积得到HfSiN/Cu/HfSiN/SiO2/Si多层膜。本发明所制备的HfSiN扩散阻挡层材料可有效的阻挡Cu的扩散,并且适用于亚45nm级集成电路Cu布线互连工艺的发展趋势。
  • 多层硫属化物装置-200780029530.7
  • R·桑多瓦二;S·A·科斯泰列夫;W·楚巴蒂;T·劳里 - 奥翁尼克斯公司
  • 2007-06-07 - 2009-08-12 - H01L29/02
  • 本发明涉及多层硫属化物电子装置。所述装置包括与两个端子电连通的有源区,其中有源区包括两层或多层。在一个实施方案中,孔区包括两种或多种不同化学组成的硫属化物材料。在另一个实施方案中,孔区包括一种或多种硫属化物材料和Sb层。所述装置提供最低调节需要、快置位速度、高复位电阻和低置位电阻的多个优点。
  • 用于功率器件的具有界面电荷岛SOI耐压结构-200910058189.9
  • 张波;胡盛东;李肇基 - 电子科技大学
  • 2009-01-19 - 2009-07-08 - H01L29/02
  • 本发明公开了一种用于功率器件的具有界面电荷岛SOI耐压结构,包括半导体衬底层,介质埋层和半导体有源层,在所述介质埋层和半导体有源层的交界面的全部范围或部分范围内设置有伸入至所述半导体有源层内的多个高浓度n+区,多个高浓度n+区间断设置,所述高浓度n+区为半导体材质,高浓度n+区的浓度范围大于1×1016cm-3。采用本结构,可以大大提高介质埋层电场,从而有效提高耐压,并且工艺实现简单,与常规CMOS/SOI工艺完全兼容;另外,由于没有采用类似介质槽结构的过多绝缘材料,也就没有附加自热效应产生;同时,将本结构应用于功率器件中,其耐压由于介质埋层电场的显著增强而较常规结构SOI器件大大提高。
  • 形成电淀积接触的结构及方法-200780007826.9
  • C·小卡布拉尔;H·德利吉安尼;R·F·克纳尔;S·G·马尔霍特拉;S·罗斯纳格尔;邵晓燕;A·托波尔;P·M·韦雷肯 - 国际商业机器公司
  • 2007-03-26 - 2009-03-25 - H01L29/02
  • 一种接触冶金结构,包括在衬底上的具有腔的构图的介质层;位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层;包括Ti或Ti/TiN的接触层,位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层;位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层;位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层;使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时,在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时,例如钌、铑、铂、或铱,不需要所述籽晶层。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top