[发明专利]高K栅介电层的形成方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410365791.8 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304476A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 库尔班·阿吾提 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高K栅介电层的形成方法及半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有栅极开口；沉积高K材料层，所述高K材料层覆盖所述栅极开口的底部和侧壁，所述高K材料层的材料为HfO2和ZrO2的混合物。本发明有利于改善高K栅介电层的膜层质量，并且有助于形成具有更高的K值和更薄的等效氧化层厚度的高K栅介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介电层 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高K栅介电层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有栅极开口；沉积高K材料层，所述高K材料层覆盖所述栅极开口的底部和侧壁，所述高K材料层的材料为HfO2和ZrO2的混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
