[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器，具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、隧穿介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区、漏极区、控制栅极以及栅间介电层。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。隧穿介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间。

主权项

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：第一存储单元，设置于基底上，所述第一存储单元，包括：堆叠结构，包括依序设置于所述基底上的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极；浮置栅极，设置于所述堆叠结构的第一侧的侧壁，且所述浮置栅极的顶部具有转角部，所述转角部邻近所述抹除栅极，且所述转角部高度落于所述抹除栅极高度间；隧穿介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间，且所述栅介电层的厚度小于所述隧穿介电层的厚度；抹除栅介电层，设置于所述抹除栅极与所述浮置栅极之间；辅助栅介电层，设置于所述辅助栅极与所述浮置栅极之间，且所述辅助栅介电层的厚度大于所述抹除栅介电层的厚度；源极区与漏极区，分别设置于所述堆叠结构与所述浮置栅极两侧的所述基底中，其中所述源极区邻接所述浮置栅极，所述漏极区邻接所述堆叠结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对；控制栅极，设置于所述源极区与所述浮置栅极上；以及栅间介电层，设置于所述控制栅极与所述浮置栅极之间。