[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201410302041.6 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN104282757B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | S·特根 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件,包括从半导体衬底的第一主表面伸出的第一脊和第二脊。该第一脊和第二脊在第一方向上延伸。该半导体器件进一步包括设置于半导体衬底的在第一脊和第二脊之间的部分中的体区,以及邻近体区的栅电极。第一脊和第二脊与该体区连接。在体区上形成了多个另外的脊,该另外的脊在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅电极在第一方向上延伸,并且该栅电极设置于另外的脊的至少两个侧面上。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:从半导体衬底的第一主表面伸出的第一脊和第二脊,所述第一脊和所述第二脊在第一方向上延伸,所述第一方向平行于所述第一主表面;体区,其设置于所述半导体衬底的在所述第一脊和所述第二脊之间的部分中,所述第一脊和所述第二脊与所述体区相连接,所述体区被图形化为多个另外的脊,所述另外的脊在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸;以及栅电极,其被设置在所述第一脊和所述第二脊之间的沟槽中并且毗连所述体区,所述栅电极在第一方向上延伸,所述栅电极设置于所述另外的脊的至少两个侧面处。
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