[发明专利]一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法无效
| 申请号： | 201410283265.7 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104049196A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法，包括：计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率，并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况；根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度，确定能量空间中没有被载流子占据的空位置数；根据确定的能量空间中没有被载流子占据的空位置数，确定载流子跃迁的距离；根据确定的载流子跃迁的距离计算有机半导体器件的电流密度，并以该电流密度来表征有机半导体器件的弛豫现象。本发明计算过程简单，可广泛应用于各种无序的半导体材料和器件，如有机半导体，非晶半导体等驰豫现象的表征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 有机 半导体器件 现象 方法 | ||
【主权项】：
一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法，其特征在于，包括：步骤1：计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率，并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况；步骤2：根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度，确定能量空间中没有被载流子占据的空位置数；步骤3：根据确定的能量空间中没有被载流子占据的空位置数，确定载流子跃迁的距离；步骤4：根据确定的载流子跃迁的距离计算有机半导体器件的电流密度，并以该电流密度来表征有机半导体器件的弛豫现象。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410283265.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
