[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201410095174.0 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104241142A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;李哲雄;金泰善;朴商德;尹范濬;河泰元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/441 | 分类号： | H01L21/441 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿所述第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿所述第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在所述第二导电层上形成掩模图案，所述掩模图案填充所述第二沟槽并包括底部抗反射涂层（BARC）；以及利用所述掩模图案除去所述第一导电层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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