[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成从所述第一表面朝向所述第二表面穿过所述半导体基板延伸而没有到达所述第二表面的场区，所述场区形成为单个；形成穿过所述场区并从所述第一表面朝向所述第二表面延伸的对准标记和连接接触；在所述半导体基板的所述第一表面上形成第一电路使得所述第一电路电连接到所述连接接触；使所述半导体基板的所述第二表面凹陷以形成暴露所述场区、所述对准标记和所述连接接触的第三表面；以及在所述半导体基板的所述第三表面上形成第二电路使得所述第二电路电连接到所述连接接触。