[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

技术领域

实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着制造技术的发展，期望制造具有更大精细性和高集成度的半导体器件。

发明内容

实施例涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

第一电路和第二电路中的一个可以包括具有单元晶体管的单元阵列，第一电路和第二电路中的另一个可以包括具有周边晶体管的周边电路。单元晶体管和周边晶体管可以关于半导体基板对称。

形成第一电路可以包括在半导体基板的第一表面上形成包括周边晶体管和金属线的周边电路。形成第二电路可以包括在半导体基板的第三表面上形成包括单元晶体管、位线和电容器的单元阵列。连接接触可以与金属线同时形成。

该方法还可以包括在形成单元阵列之前将支撑基板附接到周边电路。单元阵列可以堆叠在支撑基板上的周边电路上方。

该方法还可以包括在半导体基板的第一表面上形成电连接到金属线的外部端子。

形成第一电路可以包括在半导体基板的第一表面上形成包括单元晶体管、位线和电容器的单元阵列。形成第二电路可以包括在半导体基板的第三表面上形成包括周边晶体管和金属线的周边电路。连接接触可以与位线同时形成。

该方法还可以包括在形成周边电路之前将支撑基板附接到单元阵列。周边电路可以堆叠在支撑基板上的单元阵列上方。

形成第二电路可以包括在半导体基板的第三表面上形成包括周边晶体管和金属线的周边电路。形成第一电路可以包括：在形成第二电路之前，在半导体基板的第一表面上形成包括单元晶体管的第一层；以及在形成第二电路之后在半导体基板的第一表面上形成包括电容器的第二层，第一层和第二层构成单元阵列。连接接触可以与位线同时形成。

该方法还可以包括：在形成周边电路之前将第一基板附接到第一层；以及在形成第二层之前将第二基板附接到周边电路并除去第一基板。单元阵列可以堆叠在第二基板上的周边电路上方。

该方法还可以包括在半导体基板的第三表面上形成电连接到金属线的外部端子。

实施例还涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基板，包括上表面和下表面，下表面与上表面相反；上电路，在半导体基板的上表面上；下电路，在半导体基板的下表面上；垂直连接接触，贯穿半导体基板以将上电路电连接到下电路；以及对准标记，贯穿半导体基板以将上电路与下电路垂直地对准。

上电路可以包括具有单元晶体管的单元阵列。下电路可以包括具有周边晶体管的周边电路。单元晶体管和周边晶体管可以关于半导体基板垂直地对称。

单元阵列还可以包括电连接到单元晶体管的位线。下电路还可以包括电连接到周边晶体管的金属线。连接接触可以将位线电连接到金属线。

半导体器件还可以包括附接到下电路的支撑基板、贯穿支撑基板以电连接到金属线的通路、以及设置在支撑基板上以联接到通路的焊盘。金属线可以插设在半导体基板和支撑基板之间。