[发明专利]一种低VF的功率MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410024943.8 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103779416A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种漏电小、VF值可调的低VF功率MOSFET器件，包括：其上部第一导电类型漂移区的表面为第一主面、下部第一导电类型衬底表面为第二主面的半导体基板；第一导电类型漂移区内设置有至少一个单胞阵列区，每个单胞阵列区包括至少一个MOS区和至少一个SBD区，MOS区和SBD区分别设置有一个沟槽，相邻的沟槽之间设置有浅于沟槽的第二导电类型阱，并在第二导电类型阱的上方设置有第一导电类型注入区，第一主面上覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层开设有深入SBD区沟槽以及位于相邻的沟槽之间深入第二导电类型阱的接触孔，在绝缘介质层的表面和接触孔中淀积有第一金属，形成源极；所述的第二主面上淀积有第二金属，形成漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vf 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低VF的功率MOSFET器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；第一导电类型漂移区的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面，第一导电类型漂移区内设置有至少一个单胞阵列区，每个单胞阵列区包括至少一个MOS区和至少一个SBD区，MOS区和SBD区分别设置有一个沟槽，所有的沟槽在其内壁上生长有绝缘栅氧化层，并充满导电多晶硅，两两相邻的沟槽之间设置有第二导电类型阱，第二导电类型阱浅于沟槽，两两相邻的沟槽之间在第二导电类型阱的上方设置有第一导电类型注入区，第一主面上覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层在相邻的沟槽之间开设有深入第二导电类型阱中的接触孔，绝缘介质层还开设有深入SBD区沟槽的接触孔，在绝缘介质层的表面和接触孔中淀积有第一金属，形成源极；所述的第二主面上淀积有第二金属，形成漏极。
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