[发明专利]氮化物半导体器件的电极结构和氮化物半导体场效应晶体管在审

申请号：	201380033935.3	申请日：	2013-06-26
公开（公告）号：	CN104395994A	公开（公告）日：	2015-03-04
发明（设计）人：	藤田耕一郎	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L21/338	分类号：	H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	根据该电极结构，源极电极(111)和漏极电极(112)以在绝缘膜(107)与氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)之间与氮化物半导体叠层体(105)的表面接触的方式，从凹部(116、119)形成至绝缘膜(107)的表面(107C)上。根据这样的欧姆电极(111、112)的结构，与欧姆电极的端缘部被夹在氮化物半导体叠层体与绝缘膜之间的以往的电极结构相比，能够使与氮化物半导体叠层体(105)相邻的源极电极(111)和漏极电极(112)的端部的导通时的最大电场强度降低，能够提高导通耐压。
搜索关键词：	氮化物半导体器件电极结构半导体场效应晶体管
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种氮化物半导体器件的电极结构，其特征在于，具备：氮化物半导体叠层体(105)，该氮化物半导体叠层体(105)具有异质界面并且具有从表面向所述异质界面凹陷的凹部(116、119)；绝缘膜(107)，该绝缘膜(107)形成在所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)上，并且与所述凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)沿所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)分离预先确定的距离；和欧姆电极(111、112)，该欧姆电极(111、112)以在所述绝缘膜(107)与所述凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)之间与所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)接触的方式，从所述氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)形成至所述绝缘膜(107)的表面(107C)上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380033935.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]氮化物半导体器件的电极结构和氮化物半导体场效应晶体管在审

专利文献下载