[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380022798.3 | 申请日： | 2013-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104541374A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德;曲飞·陈;米斯巴赫·乌尔·阿藏;凯尔·特里尔;阳·高;莎伦·石 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;赵礼杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 混合分裂栅半导体。在根据本技术的实施例中，半导体器件包括：竖直沟道区域、以第一深度位于所述竖直沟道区域的第一侧的栅极、以第二深度位于所述竖直沟道区域的所述第一侧的屏蔽电极、以及以所述第一深度位于所述竖直沟道区域的第二侧的混合栅极。位于所述竖直沟道区域的所述第二侧的所述混合栅极的下方的区域没有任何电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：竖直沟道区域；以第一深度位于所述竖直沟道区域的第一侧的栅极；以第二深度位于所述竖直沟道区域的所述第一侧的屏蔽电极；以及以所述第一深度位于所述竖直沟道区域的第二侧的混合栅极，其中，位于所述竖向沟道区域的所述第二侧的所述混合栅极的下方的区域没有任何电极。
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