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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有埋藏式互连件的高电子迁移率晶体管-CN202211131635.6在审
发明人：艾曼·谢比卜;凯尔·特里尔;永平·丁;金曼·杨 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了具有埋藏式互连件的高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅基底层，设置在所述基底层的第一表面上的第一接触件，以及设置在与所述第一表面相对的第二表面上的多个层。第二接触件和栅极接触件设置在那些层上。包含导电材料的沟槽延伸完全穿透所述多个层并穿入所述基底层。在一个HEMT实施例中，所述第一接触件为漏极接触件以及所述第二接触件为源极接触件。在另一个HEMT实施例中，所述第一接触件为源极接触件以及所述第二接触件为漏极接触件。
具有埋藏互连电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210067602.3在审
发明人：艾曼·谢比卜;凯尔·特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。第二HEMT包括耦合到源极和漏极的第二栅极。第二HEMT具有比第一HEMT更低的阈值电压。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN201711261540.5有效
发明人：艾曼·谢比卜;凯尔·特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。第二HEMT包括耦合到源极和漏极的第二栅极。第二HEMT具有比第一HEMT更低的阈值电压。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]具有改进的非钳位感应开关抗扰性的晶体管结构-CN201580044859.5有效
发明人：文杰·张;马督儿·博德;陈去非;凯尔·特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种具有改进的非钳位感应开关抗扰性的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管结构。该LDMOS包括第一导电类型的衬底和相邻的外延层。栅极结构在外延层之上。两者都为第二导电类型的漏区和源区位于外延层内。沟道形成于源区和漏区之间并且布置在栅极结构下方。第一导电类型的体结构至少部分地形成于栅极结构下方并且在源区下方横向延伸，其中外延层的掺杂少于体结构。导电沟槽状馈通元件穿过外延层并接触衬底和源区。LDMOS包括形成于源区下方、且横向靠近并接触所述体结构和所述沟槽状馈通元件的第一导电类型的槽区。
具有改进非钳位感应开关抗扰性晶体管结构

[发明专利]制造堆栈裸片封装的方法-CN201480021718.7有效
发明人： 凯尔·特里尔;郭芳村;毛森 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：在一个实施例中，方法可以包括，将第一裸片的栅极和源极耦合至引线框架。第一裸片可以包括位于第一裸片的第一表面的栅极和源极以及位于与该第一表面相对的第一裸片的第二表面的漏极。此外，方法可以包括，将第二裸片的源极耦合至第一裸片的漏极。第二裸片可以包括位于第二裸片的第一表面的栅极和漏极以及位于与该第一表面相对的第二裸片的第二表面的源极。
制造堆栈封装方法

[发明专利]堆叠芯片封装-CN201480022885.3有效
发明人： 凯尔·特里尔;郭芳村;毛森 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在一实施例中，一种堆叠芯片封装可以包括引线框架和第一芯片，所述第一芯片包括位于所述第一芯片的第一表面上的栅极和源极以及位于所述第一芯片的与所述第一表面相对的第二表面上的漏极。所述栅极和源极倒装耦合至所述引线框架。所述堆叠芯片封装可以包括第二芯片，其包括位于所述第二芯片的第一表面上的栅极和漏极以及位于所述第二芯片的与所述第一表面相对的第二表面上的源极。所述第二芯片的所述源极朝向所述第一芯片的所述漏极。
堆叠芯片封装

[发明专利]具有埋藏式互连件的高电子迁移率晶体管-CN201711262724.3在审
发明人：艾曼·谢比卜;凯尔·特里尔;永平·丁;金曼·杨 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了具有埋藏式互连件的高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅基底层，设置在所述基底层的第一表面上的第一接触件，以及设置在与所述第一表面相对的第二表面上的多个层。第二接触件和栅极接触件设置在那些层上。包含导电材料的沟槽延伸完全穿透所述多个层并穿入所述基底层。在一个HEMT实施例中，所述第一接触件为漏极接触件以及所述第二接触件为源极接触件。在另一个HEMT实施例中，所述第一接触件为源极接触件以及所述第二接触件为漏极接触件。
接触件高电子迁移率晶体管第一表面漏极接触源极接触互连件基底层埋藏式导电材料第二表面硅基底层栅极接触穿入穿透延伸

[发明专利]电流限制系统和方法-CN201380020888.9有效
发明人： 凯尔·特里尔;特兰格·伍 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：所呈现的系统和方法可以促进电子系统中的高效的开关和保护。系统可以包括可操作为接收信号的输入；可配置为在包括低电阻的第一模式中操作的可调部件，并且该部件可配置为在包括电流限制操作的第二模式中操作，在电流限制操作中第二模式在对第一模式中的操作来说非安全的情况下使能继续操作；以及可操作为发送信号的输出。可调部件可配置为如果在第一模式或第二模式之一中操作不安全则关闭。第一模式可以包括具有相对低的漏极到源极导通电阻的相对大的部件配置。利用第二模式中的小部件配置可以包括与在第二模式中的大部件配置相比相对增大的栅源电压。
电流限制系统方法

[发明专利]MOSFET终止沟槽-CN201380008390.0有效
发明人：米斯巴赫·U·阿扎姆;凯尔·特里尔 -专利权人：威世硅尼克斯
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种方法，在一个实施例中，可包括在衬底中形成核心沟槽和终止沟槽。所述终止沟槽比所述核心沟槽更宽。此外，可沉积填充所述核心沟槽并用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬的第一氧化物。可将第一多晶硅沉积到所述终止沟槽中。可将第二氧化物沉积在所述第一多晶硅之上。可将掩模沉积在所述第二氧化物和所述终止沟槽之上。可从所述核心沟槽移除所述第一氧化物。可沉积用作所述核心沟槽的侧壁和底部的内衬的第三氧化物。所述终止沟槽内的所述第一氧化物比所述核心沟槽内的所述第三氧化物更厚。
mosfet 终止沟槽

[发明专利]采用高能量掺杂剂注入技术的半导体结构-CN201480057825.5在审
发明人： 凯尔·特里尔;管灵鹏 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件具有在衬底上生长的外延层，每个外延层具有第一掺杂类型。设置在所述外延层内的结构具有多个沟槽，每个所述沟槽具有设置在防护氧化物基体内的栅极电极和源极电极。多个台面的每一个使沟槽对彼此隔离。具有第二掺杂类型的体区设置在外延层上方并且桥连每个台面。所述第一掺杂剂类型的升高浓度的区域以高能量级别注入到外延层和体区之间，其减小了扩展到器件的沟道的电阻。具有第一掺杂类型的源区被设置在体区上方。
采用高能量掺杂注入技术半导体结构

[发明专利]半导体器件-CN201380022798.3在审
发明人：马督儿·博德;曲飞·陈;米斯巴赫·乌尔·阿藏;凯尔·特里尔;阳·高;莎伦·石 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：混合分裂栅半导体。在根据本技术的实施例中，半导体器件包括：竖直沟道区域、以第一深度位于所述竖直沟道区域的第一侧的栅极、以第二深度位于所述竖直沟道区域的所述第一侧的屏蔽电极、以及以所述第一深度位于所述竖直沟道区域的第二侧的混合栅极。位于所述竖直沟道区域的所述第二侧的所述混合栅极的下方的区域没有任何电极。
半导体器件

[发明专利]集成电路设计-CN201380022771.4在审
发明人：马督儿·博德;曲飞·陈;米斯巴赫·乌尔·阿藏;凯尔·特里尔;阳·高;莎伦·石 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成混合分裂栅半导体的方法。根据本发明的方法实施例，以第一深度在半导体衬底中形成多个第一沟槽。以第二深度在所述半导体衬底中形成多个第二沟槽。所述第一多个沟槽平行于第二多个沟槽。所述多个第一沟槽的沟槽与所述多个第二沟槽的沟槽相间且相邻。
集成电路设计

[发明专利]超结型沟槽功率MOSFET器件的制造-CN201080037922.X有效
发明人： Y·高;凯尔·特里尔;德瓦·帕塔纳亚克;K·陈;T·周;莎伦·石;Q·陈 -专利权人：威世硅尼克斯
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明描述了用于制造超结型沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的方法。超结中的p型掺杂物柱与n型掺杂物的第一柱通过第一氧化物柱隔离开，并与n型掺杂的第二柱通过第二氧化物柱隔离开。在n沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于p型掺杂物柱的上方，而在p沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于n型掺杂物柱的上方。
超结型沟槽功率 mosfet 器件制造

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201080049358.3有效
发明人：汉密尔顿·吕;T·周;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕坦纳亚克;莎伦·石;K·陈;罗伯特·许 -专利权人：威世硅尼克斯
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于衬底晶圆背面和边缘截面密封的系统和方法。按照第一方法实施例，获取第一导电类型的硅晶圆。在该硅晶圆的正面上生长第一导电类型的外延层。对该外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域。重复上述生长和注入，以形成一个该相反的导电类型的垂直的柱。上述硅晶圆同样可以被注入，以形成一个相反的导电类型的区域，该区域与上述垂直的柱垂直对齐。
形成半导体器件方法

[发明专利]超结型沟槽功率MOSFET器件-CN201080038077.8有效
发明人： Y·高;凯尔·特里尔;德瓦·帕塔纳亚克;K·陈;T·周;莎伦·石;Q·陈 -专利权人：威世硅尼克斯
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一种超结型沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件中，超结中的p型掺杂物柱与n型掺杂物的第一柱通过第一氧化物柱隔离开，并与n型掺杂物的第二柱通过第二氧化物柱隔离开。在n沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于p型掺杂物柱的上方，而在p沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于n型掺杂物柱的上方。
超结型沟槽功率 mosfet 器件

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