[实用新型]半导体器件及半导体器件结构有效
| 申请号： | 201320612975.0 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN203690305U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | J·罗伊格-吉塔特;P·莫恩斯;P·范米尔贝克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及具有局部化电荷平衡结构的半导体器件。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一个实施例中，半导体器件具有邻接低掺杂n型区域形成的超结结构。低掺杂p型区域在低掺杂n型区域上面邻接超结结构形成，并被配置为提高Eas特性。与低掺杂p型区域相邻地形成体区，并且，与体区相邻地形成用于控制体区内的沟道区域的控制电极结构。根据本实用新型的方面的实施例，可以提供提高了优化电荷平衡和/或选择电荷平衡窗口的Eas性能的电荷平衡半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包含： 限定主表面的半导体基板； 至少包含关于主表面沿大体垂直取向延伸的第一导电类型的第一柱和第二导电类型的第二柱的第一区域，其中，第一导电类型与第二导电类型相反，并且，第一柱被配置为垂直电流路径； 与主表面分开并邻接第一区域的下部的第一导电类型的第二区域； 在主表面与第二区域之间邻接第一区域的第二导电类型的第三区域； 第三区域的一部分与主表面之间的第二导电类型的体区； 邻接体区的第一导电类型的源极区；和 邻接体区和源极区并被配置为控制沟道区域的控制电极。
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