[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118515.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250741U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，包含：位于沟槽中的场板（13）；相邻沟槽之间第一导电型的源区（8）；相邻沟槽之间源区（8）下方的第二导电型的体区（7）；电介质层（17）上的互连层（11），其中互连层（11）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13），其中所述源区和/或体区比体区下面相邻沟槽之间的台面漂移区宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含： 位于沟槽中的场板（13）；相邻沟槽之间第一导电型的源区（8）；相邻沟槽之间源区（8）下方的第二导电型的体区（7）；电介质层（17）上的互连层（11），其中互连层（11）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13），其中所述源区和/或体区比体区下面相邻沟槽之间的台面漂移区宽。
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