[发明专利]隔离型高耐压场效应管在审
| 申请号： | 201310753318.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752518A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;苗彬彬;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流采样功能的隔离型高耐压场效应管，包括结构相同的一个采样管和至少一个被采样管，采样管在被采样管多指状阵列结构周边的源区处分离形成，采样管和被采样管共用漏区和多晶硅场栅极，采样管源区和被采样管源区之间在靠近多晶硅栅极的位置具有高耐压缓冲区，高耐压缓冲区由硅基板P型衬底组成，高耐压缓冲区横跨多晶硅栅极，将采样管和被采样管的源区、衬底P型阱、P型掺杂区隔离；多晶硅栅极横跨采样管和被采样管的源区、衬底P型阱以及源区的N型漂移区。本发明在保持采样管和被采样管的高耐压前提下能减小集成面积，增大被采样管的有效面积，能增大器件的采样比。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 耐压 场效应 | ||
【主权项】：
一种隔离型高耐压场效应管具有电流采样功能，包括结构相同的一个采样管（301）和至少一个被采样管（302），其特征在于：采样管（301）在被采样管（302）周边的源区（202）处分离形成，采样管（301）和被采样管（302）共用漏区（201）和多晶硅场栅极（109），采样管源区（211）和被采样管源区（212）之间在靠近多晶硅栅极（109）的位置具有高耐压缓冲区（210），高耐压缓冲区（210）由硅基板P型衬底组成，高耐压缓冲区（210）横跨多晶硅栅极（109），将采样管和被采样管源区（211和212）、衬底P型阱（303b和303a）、P型掺杂区（304b和304a）彼此隔离；采样管多晶硅栅极和被采样管多晶硅栅极相连接共同形成完整的闭环形多晶硅栅极（109）；多晶硅栅极（109）横跨采样管和被采样管源区（211和212）、衬底P型阱（303b和303a）以及源区的N型漂移区（302b和302a）离。?
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