[发明专利]异质结场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310532829.1 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579332A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 袁理 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质结场效应管及其制作方法，所述异质结场效应管至少包括：第一半导体层、第二半导体层、源极、漏极、栅极、外延层和高功函数金属层；其中，第二半导体层、源极和漏极形成于第一半导体层上；栅极形成在源极和漏极之间的第二半导体层的表面；栅极和第二半导体层的表面还形成有钝化层，沟槽位于所述栅极和漏极之间的钝化层中，暴露出第二半导体层表面，且沟槽中形成有外延层；源极、外延层上，以及源极和栅极之间的钝化层上形成有高功函数金属层，外延层和高功函数金属层构成肖特基接触。这样形成的新的HEMT中集成了SBD器件，器件面积小于将独立的HEMT及独立的SBD器件连接的方案，而在耐高温、耐高压、高功率、密度方面优势相当。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种异质结场效应管，其特征在于，所述异质结场效应管至少包括：第一半导体层、第二半导体层、源极、漏极、栅极、外延层和高功函数金属层；其中，所述第二半导体层、所述源极和漏极形成于所述第一半导体层上；所述栅极形成在所述源极和所述漏极之间的第二半导体层的表面；所述栅极和第二半导体层的表面还形成有钝化层，所述沟槽位于所述栅极和漏极之间的钝化层中，暴露出所述第二半导体层表面，且所述沟槽中形成有外延层；所述源极、所述外延层上，以及源极和栅极之间的钝化层上形成有高功函数金属层，所述外延层和所述高功函数金属层构成肖特基接触。
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