[发明专利]异质结场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310532829.1 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579332A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 袁理 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 场效应 及其 制作方法 | ||
1.一种异质结场效应管，其特征在于，所述异质结场效应管至少包括：第一半导体层、第二半导体层、源极、漏极、栅极、外延层和高功函数金属层；
其中，所述第二半导体层、所述源极和漏极形成于所述第一半导体层上；
所述栅极形成在所述源极和所述漏极之间的第二半导体层的表面；
所述栅极和第二半导体层的表面还形成有钝化层，所述沟槽位于所述栅极和漏极之间的钝化层中，暴露出所述第二半导体层表面，且所述沟槽中形成有外延层；
所述源极、所述外延层上，以及源极和栅极之间的钝化层上形成有高功函数金属层，所述外延层和所述高功函数金属层构成肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述第一半导体层为三五族化合物半导体，所述第二半导体层为与所述第一层半导体层形成异质结的三五族化合物半导体。
3.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述第一半导体层形成于硅衬底上。
4.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述高功函数金属层为Ni或Pt。
5.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述源极与所述源极和栅极之间的钝化层上所述高功函数金属层为金属场板。
6.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述外延层的厚度为10nm～1μm。
7.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述沟槽和栅极之间的距离小于所述沟槽和漏极的距离。
8.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述沟槽的宽度为2μm～4μm。
9.根据权利要求1所述的异质结场效应管，其特征在于：所述外延层中的Al浓度等于或大于所述第二半导体层中的Al浓度。
10.一种异质结场效应管的制作方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上从下至上依次形成所述第一半导体层、第二半导体层和牺牲层；
在所述牺牲层中形成所述沟槽，所述沟槽暴露出所述第二半导体层的表面；
利用外延工艺在所述沟槽中形成所述外延层；
利用刻蚀工艺去除所述牺牲层；
形成所述源极、漏极和栅极；
在所述栅极和第二半导体层的表面形成钝化层，所述钝化层暴露出所述源极、漏极和所述外延层；
在所述源极、钝化层和所述外延层上形成高功函数金属层，以形成覆盖所述源极、栅极、栅极与漏极之间的钝化层上的金属场板和所述外延层的肖特基接触。
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