[发明专利]近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管

摘要

本发明涉及一种近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管，通过采用不掺杂或掺杂浓度低的单晶硅衬底材料，利用近源栅电极、近漏栅电极两个彼此独立控制的栅电极，对比于普通有结和无结场效应晶体管，在避免掺杂工艺导致器件迁移率下降的前提下，一方面保持近漏栅电极处于高电位而使器件的漏电极一侧处于低阻状态，另一方面通过调节近源栅电极的电位来改变源电极一侧的阻值，进而实现器件的关断和开启。本发明有效地降低了有结型和无结型场效应晶体管所共同存在的栅极反向泄漏电流过大的问题，保证了器件的正常工作。

主权项

一种近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管，包括单晶硅衬底（7）；其特征在于：单晶硅衬底（7）凸起部分的中部上方为栅极绝缘层（6）；单晶硅衬底（7）凸起部分的两端上方分别为源电极（1）和漏电极（4）；单晶硅衬底（7）凹槽部分填充有绝缘介质层（5）；栅极绝缘层（6）上方为近源栅电极（2）和近漏栅电极（3）；源电极（1）、漏电极（4）、近源栅电极（2）和近漏栅电极（3）之间通过绝缘介质层（5）彼此隔离；单晶硅衬底（7）为无需引入杂质的纯单晶硅衬底材料，或杂质浓度含量小于1016cm‑3的低杂质浓度的单晶硅衬底材料；源电极（1）和漏电极（4）分别与单晶硅衬底（7）凸起部分的两端接触并形成肖特基势垒；栅极绝缘层（6）是通过对单晶硅衬底（7）氧化生成的二氧化硅层，或者是通过淀积工艺生成的具有高介电常数的绝缘材料介质层，所述的具有高介电常数的绝缘材料介质层为二氧化铪、四氮化三硅或三氧化二铝。